定向耦合器及无线通信装置

    公开(公告)号:CN205406696U

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201620136273.3

    申请日:2016-02-23

    CPC classification number: H01P5/18 H01P5/184 H04B1/44

    Abstract: 本实用新型提供一种定向耦合器,在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路,主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸,在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子,且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。

    薄膜器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1841580A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610071963.6

    申请日:2006-03-31

    Inventor: 藤原俊康

    CPC classification number: H01F17/0006

    Abstract: 提供一种能够尽可能减少寄生电容的薄膜器件。在下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(17)之间设置与它们绝缘的线圈(16)的情况下,构成线圈(16)使得剖面(16M)在最靠近所述的下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(17)的端缘具有最小宽度。在线圈(16)和下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(17)之间产生的寄生电容减小,同时,在该线圈(16)的各绕线之间产生的寄生电容也一并减少。

    耦合器、电子部件以及电子部件的制造方法

    公开(公告)号:CN104145367B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201380011244.3

    申请日:2013-02-22

    CPC classification number: H01P5/18 H01P5/185 H01P11/003 H03G1/0005 H03G3/3036

    Abstract: 本发明的耦合器抑制导体膜与电阻膜的接触电阻并减少由频率引起的衰减量的差异。耦合器(1A)具备分别被设置于基板(基板(K1)、平坦化膜(H0)以及绝缘膜(H01))上的输入端子以及输出端子、被设置于基板上并且一端被连接于输入端子且另一端被连接于输出端子的主线路、包含分别被设置于基板上的导体膜(M1)以及电阻膜(R1)并且在导体膜(M1)的一部分上与主线路相电磁耦合的副线路,导体膜(M1)具有配线图形(L23,L25),电阻膜(R1)具有包含以嵌入于配线图形(L23)与基板之间的形式被配置的端部(R13a)和以嵌入于配线图形(L25)与基板之间的形式被配置的端部(R13b)的电阻膜图形(R13),端部(R13a,R13b)分别至少在上表面以及端面上接触于导体膜(M1)。

    定向耦合器及无线通信装置

    公开(公告)号:CN105914444A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610098860.2

    申请日:2016-02-23

    CPC classification number: H01P5/18 H01P5/184 H04B1/44 H04B1/40

    Abstract: 本发明提供一种定向耦合器,在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路,主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸,在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子,且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。

    薄膜器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101071679A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710092188.7

    申请日:2007-03-30

    Inventor: 藤原俊康

    Abstract: 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高电感的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(12)上的薄膜线圈(13)上,下部线圈部分(13A)的厚度TA比上部线圈部分(13B)的厚度TB小。与厚度TA、TB的总和固定、这些厚度TA、TB彼此相等的情况不同,因为下部线圈部分(13A)的厚度TA不会过大,所以,磁性膜(12)基底的起伏变小。由此,磁性膜(12)的平坦性变好,故磁特性(导磁率)不会恶化。

    薄膜器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101071677A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710092140.6

    申请日:2007-04-02

    CPC classification number: H01F17/0013 G11B5/17 H01F2017/0066

    Abstract: 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高Q值的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(13)上的薄膜线圈(14)上,由下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的下部线圈部分(14A)的厚度TA比没有被下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的上部线圈部分(14B)的厚度TB大(厚度比TB/TA<1)。与下部线圈部分(14A)的厚度TA为上部线圈部分(14B)的厚度TB以下的情况(厚度比TB/TA≥1)相比,在下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)之间,交链下部线圈部分(14A)的过渡磁通的量减少。

    定向耦合器及无线通信装置

    公开(公告)号:CN105914444B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201610098860.2

    申请日:2016-02-23

    CPC classification number: H01P5/18 H01P5/184 H04B1/44

    Abstract: 本发明提供一种定向耦合器,在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路,主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸,在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子,且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。

    耦合器、电子部件以及电子部件的制造方法

    公开(公告)号:CN104145367A

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201380011244.3

    申请日:2013-02-22

    CPC classification number: H01P5/18 H01P5/185 H01P11/003 H03G1/0005 H03G3/3036

    Abstract: 本发明的耦合器抑制导体膜与电阻膜的接触电阻并减少由频率引起的衰减量的差异。耦合器(1A)具备分别被设置于基板(基板(K1)、平坦化膜(H0)以及绝缘膜(H01))上的输入端子以及输出端子、被设置于基板上并且一端被连接于输入端子且另一端被连接于输出端子的主线路、包含分别被设置于基板上的导体膜(M1)以及电阻膜(R1)并且在导体膜(M1)的一部分上与主线路相电磁耦合的副线路,导体膜(M1)具有配线图形(L23,L25),电阻膜(R1)具有包含以嵌入于配线图形(L23)与基板之间的形式被配置的端部(R13a)和以嵌入于配线图形(L25)与基板之间的形式被配置的端部(R13b)的电阻膜图形(R13),端部(R13a,R13b)分别至少在上表面以及端面上接触于导体膜(M1)。

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