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公开(公告)号：CN205406696U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620136273.3
申请日：2016-02-23
申请人： TDK株式会社
摘要： 本实用新型提供一种定向耦合器，在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路，主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸，在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子，且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。
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公开(公告)号：CN117043617A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280020554.0
申请日：2022-02-22
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G01R33/02
摘要： 本发明改良具备具有多层结构的铁磁性膜的磁传感器。磁传感器(1)的传感器芯片(10)具备：磁敏元件(R1)；铁磁性膜(M1、M2)，其设置在覆盖磁敏元件(R1)的绝缘膜(32)上，并形成与磁敏元件(R1)重叠的磁隙(G1)；和钝化膜(33)，以填埋磁隙(G1)的方式设置在铁磁性膜(M1、M2)上。铁磁性膜(M1、M2)包括下部磁性膜(41)和上部磁性膜(42)，对于磁隙(G1)的宽度，上部磁性膜(42)之间的宽度(W2)比下部磁性膜(41)之间的宽度(W1)宽，下部磁性膜(41)由磁导率比上部磁性膜(42)高的材料构成。由此，将磁通高效地施加于磁敏元件，因此能够得到高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN105914444A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610098860.2
申请日：2016-02-23
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供一种定向耦合器，在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路，主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸，在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子，且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。
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公开(公告)号：CN105914444B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610098860.2
申请日：2016-02-23
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供一种定向耦合器，在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路，主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸，在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子，且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。
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公开(公告)号：CN110709720B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880033982.0
申请日：2018-05-21
申请人： TDK株式会社
发明人： 林承彬
摘要： 本发明减少具备传感器基板和外部磁性体的磁传感器中的泄漏磁通。本发明的磁传感器，其具备：具有形成有磁敏元件(R1、R2)的元件形成面(20a)、侧面(21、22)和背面(23)的传感器基板(20)；设置于磁敏元件(R1)和磁敏元件(R2)之间的第一外部磁性体(30)；以及具有覆盖侧面(21、22)的第一和第二部分(41、42)的第二外部磁性体(40)，第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出。根据本发明，由于第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出，因此第一外部磁性体(30)和第二外部磁性体(40)之间的泄漏磁通被减少。
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公开(公告)号：CN110709720A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880033982.0
申请日：2018-05-21
申请人： TDK株式会社
发明人： 林承彬
摘要： 本发明减少具备传感器基板和外部磁性体的磁传感器中的泄漏磁通。本发明的磁传感器，其具备：具有形成有磁敏元件(R1、R2)的元件形成面(20a)、侧面(21、22)和背面(23)的传感器基板(20)；设置于磁敏元件(R1)和磁敏元件(R2)之间的第一外部磁性体(30)；以及具有覆盖侧面(21、22)的第一和第二部分(41、42)的第二外部磁性体(40)，第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出。根据本发明，由于第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出，因此第一外部磁性体(30)和第二外部磁性体(40)之间的泄漏磁通被减少。
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公开(公告)号：CN116609712A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310116197.4
申请日：2023-02-15
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明的技术问题在于，提供一种提高抵消磁场的产生效率的磁传感器。本发明的磁传感器(1)包括：隔着磁隙(G2)相对的磁性体层(M1、M2)、配置于由磁隙(G2)形成的磁路上的磁敏元件(R)、和卷绕于磁性体层(M1、M2)的补偿线圈(120)，磁性体层(M1、M2)、磁敏元件(R)和补偿线圈(120)集成于传感器芯片(100)。这样，由于补偿线圈(120)卷绕于磁性体层(M1、M2)，因此，抵消磁场的产生效率提高。由此，需要流过补偿线圈(120)的电流量减少，因此，不仅能够减少消耗电力，还能够减少磁敏元件(R)的热噪声。
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公开(公告)号：CN109154640B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201780032067.5
申请日：2017-05-22
申请人： TDK株式会社
摘要： [技术问题]提高将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器的检测精度。[解决方案]具备设置于传感器基板(20)的表面的磁性体层(41～43)和桥接的磁敏元件(R1～R4)。磁性体层(41)包含主区域(M1)和随着远离主区域(M1)而宽度变窄的收敛区域(S1)，磁性体层(42)包含主区域(M2)和随着远离主区域(M2)而宽度变窄的收敛区域(S5、S7)，磁性体层(43)包含主区域(M3)和随着远离主区域(M3)而宽度变窄的收敛区域(S6、S8)。收敛区域(S1～S4)的端部和收敛区域(S5～S8)的端部分别隔着间隙(G1～G4)而相对，磁敏元件(R1～R4)分别配置于由间隙(G1～G4)形成的磁路上。根据本发明，因为由在各磁敏元件中流通的电流而产生的磁通不对其它磁敏元件带来影响，所以检测精度得到了提高。
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公开(公告)号：CN109154640A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780032067.5
申请日：2017-05-22
申请人： TDK株式会社
摘要： [技术问题]提高将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器的检测精度。[解决方案]具备设置于传感器基板(20)的表面的磁性体层(41～43)和桥接的磁敏元件(R1～R4)。磁性体层(41)包含主区域(M1)和随着远离主区域(M1)而宽度变窄的收敛区域(S1)，磁性体层(42)包含主区域(M2)和随着远离主区域(M2)而宽度变窄的收敛区域(S5、S7)，磁性体层(43)包含主区域(M3)和随着远离主区域(M3)而宽度变窄的收敛区域(S6、S8)。收敛区域(S1～S4)的端部和收敛区域(S5～S8)的端部分别隔着间隙(G1～G4)而相对，磁敏元件(R1～R4)分别配置于由间隙(G1～G4)形成的磁路上。根据本发明，因为由在各磁敏元件中流通的电流而产生的磁通不对其它磁敏元件带来影响，所以检测精度得到了提高。
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