发明公开
- 专利标题: 磁传感器
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申请号: CN201780032067.5申请日: 2017-05-22
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公开(公告)号: CN109154640A公开(公告)日: 2019-01-04
- 发明人: 潮田健太郎 , 龟野诚 , 林承彬 , 大川秀一
- 申请人: TDK株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 杨琦; 尹明花
- 优先权: 2016-103210 2016.05.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/019009 2017.05.22
- 国际公布: WO2017/204151 JA 2017.11.30
- 进入国家日期: 2018-11-23
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09 ; G01R33/02 ; H01L43/08
摘要:
[技术问题]提高将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器的检测精度。[解决方案]具备设置于传感器基板(20)的表面的磁性体层(41~43)和桥接的磁敏元件(R1~R4)。磁性体层(41)包含主区域(M1)和随着远离主区域(M1)而宽度变窄的收敛区域(S1),磁性体层(42)包含主区域(M2)和随着远离主区域(M2)而宽度变窄的收敛区域(S5、S7),磁性体层(43)包含主区域(M3)和随着远离主区域(M3)而宽度变窄的收敛区域(S6、S8)。收敛区域(S1~S4)的端部和收敛区域(S5~S8)的端部分别隔着间隙(G1~G4)而相对,磁敏元件(R1~R4)分别配置于由间隙(G1~G4)形成的磁路上。根据本发明,因为由在各磁敏元件中流通的电流而产生的磁通不对其它磁敏元件带来影响,所以检测精度得到了提高。
公开/授权文献
- CN109154640B 磁传感器 公开/授权日:2021-03-23