-
公开(公告)号：CN114196931B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111570407.4
申请日：2021-12-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 张同文
摘要： 本发明公开一种半导体腔室，包括腔室本体、磁控管、晶片承载台和靶材，所述磁控管和所述靶材均位于腔室本体的顶部，所述晶片承载台位于所述腔室本体内，所述半导体腔室还包括第一磁性装置和第二磁性装置；所述第一磁性装置位于所述腔室本体内，且环绕所述晶片承载台设置，所述第一磁性装置能够形成与所述晶片承载台的承载面相平行的磁场；所述第二磁性装置设置于所述腔室本体，所述第二磁性装置位于所述第一磁性装置与所述磁控管之间，所述第一磁性装置的磁极排布方向与所述第二磁性装置的磁极排布方向相同，所述第二磁性装置能够与所述磁控管发生交互作用，以减小所述磁控管在平行于所述靶材表面的磁性作用。
-
公开(公告)号：CN108022714B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610934742.0
申请日：2016-10-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。
-
公开(公告)号：CN108796459B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710298706.4
申请日：2017-04-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。
-
公开(公告)号：CN108010718B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201610929208.0
申请日：2016-10-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
-
公开(公告)号：CN105568244B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410542012.7
申请日：2014-10-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明提供了一种物理气相沉积方法，该方法包括以下步骤：步骤S1，使基片位于在卡盘上，开启上电极电源且保持下电极电源关闭，对基片的整个表面沉积第一厚度的导电薄膜；或者，使基片位于卡盘上，开启上电极电源和下电极电源，对基片的整个表面沉积第一厚度的导电薄膜，并且，设置压环和卡盘之间的间距和下电极电源的输出功率在预设范围内，以满足避免打火现象的发生的要求；步骤S2，使压环将基片固定在卡盘上，压环通过第一厚度的导电薄膜与基片电连接，打开上电极电源和下电极电源，对基片的表面沉积第二厚度的导电薄膜，以使基片完成沉积目标厚度的导电薄膜。本发明提供的物理气相沉积方法可以避免发生打火现象。
-
公开(公告)号：CN108004516A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610930978.7
申请日：2016-10-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供磁控溅射腔室、磁控溅射设备和磁控管。本发明的磁控溅射腔室用于沉积磁性薄膜，包括：用于对靶材表面进行扫描的磁控管，和设置在磁控溅射腔室中用于形成水平磁场的偏置磁场装置。本发明的磁控溅射设备，包括本发明的磁控溅射腔室。本发明的磁控管沿旋转轴进行旋转用于对靶材表面进行扫描，包括极性相反的第一外磁极和第一内磁极；其中，第一外磁极和第一内磁极沿由旋转轴轴心发射的半径方向交替且间隔一定距离设置；第一外磁极和第一内磁极之间形成第一磁场轨道；由旋转轴轴心发射的半径至少连续穿过两次第一磁场轨道，连续穿过的相邻的第一磁场轨道的磁场方向相反。
-
公开(公告)号：CN112466757B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011332178.8
申请日：2020-11-24
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488
摘要： 本申请提供一种薄膜沉积方法及基片，该薄膜沉积方法，包括循环执行以下步骤，直至基片上沉积的薄膜的厚度达到目标厚度：沉积步骤，将基片传入第一工艺腔室，向第一工艺腔室内通入沉积气体，将沉积气体激发为等离子体，使等离子体轰击第一工艺腔室中的靶材，在基片上沉积形成小于预设厚度的薄膜；刻蚀步骤，将基片传入第二工艺腔室，向第二工艺腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体激发为等离子体，对沉积步骤中形成的薄膜进行刻蚀，蚀除薄膜的一部分。应用本申请，可以降低薄膜的中心与边缘的厚度和形貌差异，提高薄膜的方阻均匀性。
-
公开(公告)号：CN114908326A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210486770.6
申请日：2022-05-06
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方法。该形成叠层薄膜结构的方法包括：第一溅射步骤，将待沉积薄膜的晶圆传输至第一工艺腔室内的第一基座上，对介质靶材施加第一溅射功率，以在晶圆的表面沉积形成介质薄膜；第二溅射步骤，将溅射有介质薄膜的晶圆由第一工艺腔室内传输至第二工艺腔室内的第二基座上，对金属靶材施加第二溅射功率，以在介质薄膜上形成金属薄膜；重复执行第一溅射步骤及第二溅射步骤，以在晶圆的表面沉积交替叠层的介质薄膜和金属薄膜，形成叠层薄膜结构。本申请实施例实现了大幅提升产能的同时，还能确保产品的良率，并且还能避免叠层薄膜结构内部产生较大的热应力，从而进一步提高产品的良率。
-
公开(公告)号：CN114196931A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111570407.4
申请日：2021-12-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 张同文
摘要： 本发明公开一种半导体腔室，包括腔室本体、磁控管、晶片承载台和靶材，所述磁控管和所述靶材均位于腔室本体的顶部，所述晶片承载台位于所述腔室本体内，所述半导体腔室还包括第一磁性装置和第二磁性装置；所述第一磁性装置位于所述腔室本体内，且环绕所述晶片承载台设置，所述第一磁性装置能够形成与所述晶片承载台的承载面相平行的磁场；所述第二磁性装置设置于所述腔室本体，所述第二磁性装置位于所述第一磁性装置与所述磁控管之间，所述第一磁性装置的磁极排布方向与所述第二磁性装置的磁极排布方向相同，所述第二磁性装置能够与所述磁控管发生交互作用，以减小所述磁控管在平行于所述靶材表面的磁性作用。
-
公开(公告)号：CN108172396B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201611117907.1
申请日：2016-12-07
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01F41/22
摘要： 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
35 条记录 (耗时 0.031 秒)
