公开(公告)号：CN108796459B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201710298706.4

申请日：2017-04-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张同文 ,  耿波 ,  高攀 ,  罗建恒 ,  武学伟 ,  王厚工

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。

公开(公告)号：CN108796459A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298706.4

申请日：2017-04-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张同文 ,  耿波 ,  高攀 ,  罗建恒 ,  武学伟 ,  王厚工

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。