公开(公告)号：CN107134341B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201710266362.9

申请日：2017-04-21

申请人： 东北大学

发明人： 崔伟斌 ,  王强 ,  张同博 ,  钟辉 ,  周小倩 ,  付艳请 ,  于德东

IPC分类号： H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  H01F41/22

摘要： 本发明涉及一种强磁性介质薄膜，具体涉及一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法。本发明的技术方案如下：一种垂直取向强磁性介质薄膜，包括依次层叠的衬底、缓冲层、垂直取向强磁性介质层和保护层，所述衬底为单晶、多晶或非晶基片，所述缓冲层材质为具有六方晶体结构的无机非金属氮化物陶瓷，所述垂直取向强磁性介质层为钐钴薄膜、铝镍钴薄膜、鉄铂薄膜、铁钯薄膜、钴铂薄膜和/或钴钯薄膜，所述保护层为过渡金属、氮化物膜体材料或氧化物膜体材料。本发明提供的垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法，具有体积小、垂直磁化方向、作为存储单元的晶粒尺寸小、矫顽力大、稳定性高等优点，制备工艺简单，应用领域更广。

公开(公告)号：CN107134341A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710266362.9

申请日：2017-04-21

申请人： 东北大学

发明人： 崔伟斌 ,  王强 ,  张同博 ,  钟辉 ,  周小倩 ,  付艳请 ,  于德东

IPC分类号： H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  H01F41/22

CPC分类号： H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  H01F41/205 ,  H01F41/22

摘要： 本发明涉及一种强磁性介质薄膜，具体涉及一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法。本发明的技术方案如下：一种垂直取向强磁性介质薄膜，包括依次层叠的衬底、缓冲层、垂直取向强磁性介质层和保护层，所述衬底为单晶、多晶或非晶基片，所述缓冲层材质为具有六方晶体结构的无机非金属氮化物陶瓷，所述垂直取向强磁性介质层为钐钴薄膜、铝镍钴薄膜、鉄铂薄膜、铁钯薄膜、钴铂薄膜和/或钴钯薄膜，所述保护层为过渡金属、氮化物膜体材料或氧化物膜体材料。本发明提供的垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法，具有体积小、垂直磁化方向、作为存储单元的晶粒尺寸小、矫顽力大、稳定性高等优点，制备工艺简单，应用领域更广。