公开(公告)号：CN105551794A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201511008671.3

申请日：2015-12-29

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 周仁伟 ,  刘学超 ,  郑燕青 ,  施尔畏

IPC分类号： H01F41/22 ,  H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  C23C16/32 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01F41/22 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01F1/401 ,  H01F10/193

摘要： 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。

公开(公告)号：CN105551794B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201511008671.3

申请日：2015-12-29

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 周仁伟 ,  刘学超 ,  郑燕青 ,  施尔畏

IPC分类号： H01F41/22 ,  H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  C23C16/32 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。