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    一种稀磁半导体材料制备方法
    1.
    发明公开
    一种稀磁半导体材料制备方法 无效

    公开(公告)号：CN107833727A

    公开(公告)日：2018-03-23

    申请号：CN201711171267.7

    申请日：2017-11-22

    Applicant: 杨晓艳

    Inventor： 杨晓艳

    IPC: H01F1/40 ,  H01F41/02

    CPC classification number: H01F1/401 ,  H01F41/02

    Abstract: 本发明实施例公开了一种稀磁半导体材料的制备方法包括，在衬底材料上制备外延层，得到基底材料，然后将基底材料置于高能离子注入机中，以第一能量和第一剂量将第一离子注入到外延层中，再以第二能量和第二剂量将第二离子注入到外延层中，得到掺杂材料，最后将掺杂材料置于快速退火炉中，以第一温度退火至第一时间。相对于现有技术中的单一能态的离子注入法，本发明采用双能太离子注入，以不同的能量和剂量向半导体衬底中注入离子，能够改善磁性离子在稀磁半导体薄膜的纵向方向分布的均匀程度，使用更低剂量的磁性离子就可以获得更优异的铁磁性，使稀磁半导体材料在分立器件和集成电路中获得更广泛的应用。

    自旋场效应逻辑装置
    6.
    发明公开
    自旋场效应逻辑装置 有权

    公开(公告)号：CN103915488A

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：CN201410120822.3

    申请日：2010-01-13

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 洪起夏 ,  金钟燮 ,  申在光

    IPC: H01L29/66 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  B82Y25/00

    CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254

    Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。

    并入有包括拓扑绝缘体的拓扑材料的电装置及光学装置
    7.
    发明公开
    并入有包括拓扑绝缘体的拓扑材料的电装置及光学装置 失效

    公开(公告)号：CN103238101A

    公开(公告)日：2013-08-07

    申请号：CN201180058692.X

    申请日：2011-12-07

    Applicant: 小利兰斯坦福大学理事会

    Inventor： 张首晟 ,  张笑

    IPC: G02C7/06 ,  G02F1/135

    CPC classification number: H01L43/08 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/401 ,  H01L29/785 ,  H01L31/08

    Abstract: 本发明涉及一种包括电流传输层的电装置，所述电流传输层是使用选自由拓扑绝缘体、量子反常霍尔QAH绝缘体、拓扑绝缘体变体及拓扑磁性绝缘体组成的群组的拓扑材料的层来形成。在一个实施例中，所述电流传输层形成集成电路上的导线，其中所述导线包括两个空间分隔的边缘通道，每一边缘通道仅运载在一个方向上传播的电荷载流子。在其它实施例中，一种光学装置包括使用所述拓扑材料的层形成的光学层。所述光学层可为光吸收层、光发射层、光传输层或光调制层。

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