公开(公告)号：CN100430335C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200480004979.4

申请日：2004-02-06

Applicant: 斯宾特尼克斯有限公司

Inventor： P·夏尔马 ,  K·V·拉奥 ,  B·约翰松 ,  R·阿胡贾

IPC: C04B35/453 ,  H01F10/10

CPC classification number: H01F41/205 ,  B82Y25/00 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/9653 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/0045 ,  H01F1/401 ,  H01F1/402 ,  H01F10/193 ,  H01F41/0246 ,  H01F41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L43/10

Abstract: 制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法通过向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5原子%。优选在最高650℃的温度下对该材料进行烧结。该方法的结果是包含Mn掺杂ZnO的半导体材料，且Mn的浓度不超过5at%，其中所述的Mn掺杂ZnO在约218K至425K温度范围的至少一部分是铁磁性的。