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公开(公告)号：CN110284199B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910641432.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种晶体原位碳化退火装置及方法，所述晶体原位碳化退火装置包括：形成生长室并在其内部生长晶体的石墨坩埚；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分坩埚顶部的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层，所述上保温层朝向所述石墨坩埚一侧悬挂硅粉装载单元，所述上保温层在晶体稳定生长时位于远离坩埚的生长炉顶部，当生长结束时，下降所述上保温层，盖住所述石墨坩埚并借助退火温度使硅粉装载单元释放硅气氛进入所述生长室。
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公开(公告)号：CN107507871B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710616299.7
申请日：2017-07-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种对面正入光型高功率光导开关器件及其制作方法。该对面正入光型高功率光导开关器件包括：中空金属电极、金属环、增透钝化层、透明导电层、高电阻半导体、高反电极和实心金属电极，所述高电阻半导体作为衬底，在其上依次设有所述透明导电层和增透钝化层，还设有环绕并连接于所述透明导电层和增透钝化层周围的所述金属环，所述金属环的与衬底相反的一侧与所述中空金属电极连接；在所述高电阻半导体的背面设有所述高反电极，所述高反电极的与衬底相反的一侧与所述实心金属电极连接；器件由高击穿场强的介电材料封装。本发明能够避免载流子不均引起的边缘击穿，大大提高开关耐压值和光效率。
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公开(公告)号：CN107190322B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710213529.5
申请日：2017-04-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入生长炉中，并使所述石墨坩埚体的底部和/或下部位于加热区以使石墨坩埚体的底部的温度高于石墨坩埚顶盖的温度，采用物理气相传输方法或者高温化学气相沉积法在所述碳膜层表面生长碳化硅多晶陶瓷材料。本发明生长方法简易，所述碳化硅多晶陶瓷比传统碳化硅陶瓷性能更优异，其均匀性好，致密度更好，纯度更高，热导率更好。
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公开(公告)号：CN106480493B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510536016.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及一种用于晶体生长的新型加热装置，从中心向外依次包括：坩埚、发热体、保温材料和感应线圈，其中，所述坩埚用于容纳生长晶体的熔体且不具备发热功能；所述发热体与所述坩埚相隔开，且接收所述感应线圈的信号来发热而作为晶体生长的热源。本发明不仅打破了以坩埚作为发热体只能依靠调节保温材料被动地来构筑温场的传统做法，可以通过调节发热体的形状和尺寸来主动构筑合适的温场；另外，还可以将感应加热的方式应用于布里奇曼法晶体生长中，拓宽了布里奇曼法的使用范围。
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公开(公告)号：CN108796610A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810629902.X
申请日：2018-06-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，该装置包括：用以采用物理气相传输方法生长碳化硅单晶的坩埚，裹绕所述坩埚的保温层，位于所述保温层外侧的感应线圈，载置有所述坩埚的底座，通过石墨杆和第一连接杆与所述底座连接并将所述坩埚调平居中的调节装置，和连接至所述调节装置的晶体生长设备的传递装置。本发明提供了一种通过石墨杆、第一连接杆和调节装置连接坩埚与生长炉的传递装置的简易装置，使碳化硅晶体生长过程中坩埚不仅围绕中心旋转而且可以调平居中，从而实现晶体生长过程中和降温时温度场的均匀一致，提高碳化硅晶体的质量与成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107507871A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710616299.7
申请日：2017-07-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种对面正入光型高功率光导开关器件及其制作方法。该对面正入光型高功率光导开关器件包括：中空金属电极、金属环、增透钝化层、透明导电层、高电阻半导体、高反电极和实心金属电极，所述高电阻半导体作为衬底，在其上依次设有所述透明导电层和增透钝化层，还设有环绕并连接于所述透明导电层和增透钝化层周围的所述金属环，所述金属环的与衬底相反的一侧与所述中空金属电极连接；在所述高电阻半导体的背面设有所述高反电极，所述高反电极的与衬底相反的一侧与所述实心金属电极连接；器件由高击穿场强的介电材料封装。本发明能够避免载流子不均引起的边缘击穿，大大提高开关耐压值和光效率。
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公开(公告)号：CN105154826B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510536043.6
申请日：2015-08-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及具有室温铁磁性Cu掺杂ZnO纳米柱状晶薄膜及其制备方法，所述薄膜的化学式为Zn1‑xCuxO，其中0.01≤x≤0.1，所述薄膜具有室温铁磁性，所述薄膜的微观形貌在纳米尺度范围内呈柱状晶形态，柱体结构分布均匀、排列整齐。本发明的Cu掺杂ZnO纳米柱状晶薄膜的微观形貌在纳米尺度范围内呈柱状晶形态，这一方面使薄膜具有择优方向的光导和电导性能，另一方面也使薄膜具有更大的比表面积，从而使得该类型薄膜具有优异的磁电、磁光性能。
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公开(公告)号：CN106929919A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511006394.2
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部内以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托。本发明的坩埚能够在生长过程中调节晶体表面与原料表面的距离，保持温度场的稳定性，从而生长出高质量碳化硅晶体的碳化硅晶体生长用坩埚。
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公开(公告)号：CN103290476B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210050830.6
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明专利属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明中，同一生长周期可以同时生长多个碳化硅单晶体。采用本发明的坩埚设计来生长碳化硅单晶，可以有效提高生长效率、节约生长时间、压缩晶体成本。与传统方法相比较，同样的设备配置前提下，将单晶生长效率提高2～3倍。
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公开(公告)号：CN105479280A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511011730.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: B24B7/16 , B24B7/226 , B24B7/228 , B24B41/067
Abstract: 本发明提供一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置及方法，该装置包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本发明可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏角整形时多次修正的过程，有效提高了整形效率，且本发明操作简单、精度较高。
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