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公开(公告)号：CN107190322A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710213529.5
申请日：2017-04-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入生长炉中，并使所述石墨坩埚体的底部和/或下部位于加热区以使石墨坩埚体的底部的温度高于石墨坩埚顶盖的温度，采用物理气相传输方法或者高温化学气相沉积法在所述碳膜层表面生长碳化硅多晶陶瓷材料。本发明生长方法简易，所述碳化硅多晶陶瓷比传统碳化硅陶瓷性能更优异，其均匀性好，致密度更好，纯度更高，热导率更好。
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公开(公告)号：CN105525351A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510982407.3
申请日：2015-12-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种高效SiC晶体扩径方法，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。本发明将小尺寸籽晶拼接为大尺寸籽晶，由此易于获得大尺寸（例如4英寸以上）的碳化硅籽晶，从而可以高效地扩大碳化硅晶体直径，获得大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN103508454B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210202086.7
申请日：2012-06-19
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。
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公开(公告)号：CN103132147A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310070718.3
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明公开了一种非线性光学晶体，其具有与YCa4O(BO3)3晶体相同的晶体结构，属Cm空间群，m点群，所述的非线性光学晶体为钐钇钙氧硼酸盐晶体，化学式为SmxY1-xCa4O(BO3)3，其中，0＜x＜1。其采用CaCO3、Y2O3、Sm2O3和H3BO3按化学计量比经提拉法生长而得到。本发明的钐钇钙氧硼酸盐晶体具有良好的非线性光学性能，用于制作激光非线性光学器件，对特定波长闲频光进行吸收可提高激光非线性光学器件的转化和放大效率。
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公开(公告)号：CN102701208A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210207135.6
申请日：2012-06-21
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/36 , C30B29/36 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110919465A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911089706.9
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）挑选零微管道的整块单晶碳化硅晶锭；（2）对该单晶碳化硅晶锭进行切割，得到粗坯；（3）对粗坯进行双面研磨，得到两个平行的粗磨面；（4）对两个平行的粗磨面进行抛光，得到光学镜面；（5）对光学镜面进行化学机械抛光，去除镜面的损伤层，并进行局部修整，得到无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件。
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公开(公告)号：CN110306238A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910640864.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种晶体生长装置及晶体生长方法，所述晶体生长装置包括：具有石墨顶盖的石墨坩埚，其中，石墨坩埚底部用于放置多晶原料，石墨顶盖朝向底部一侧固定有仔晶；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分石墨顶盖的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的多个感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层。
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公开(公告)号：CN108149315A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810069412.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚集形成的热应力得到有效释放，降低晶体的开裂率，提高晶体的成品率。
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