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公开(公告)号：CN108796610B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810629902.X
申请日：2018-06-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，该装置包括：用以采用物理气相传输方法生长碳化硅单晶的坩埚，裹绕所述坩埚的保温层，位于所述保温层外侧的感应线圈，载置有所述坩埚的底座，通过石墨杆和第一连接杆与所述底座连接并将所述坩埚调平居中的调节装置，和连接至所述调节装置的晶体生长设备的传递装置。本发明提供了一种通过石墨杆、第一连接杆和调节装置连接坩埚与生长炉的传递装置的简易装置，使碳化硅晶体生长过程中坩埚不仅围绕中心旋转而且可以调平居中，从而实现晶体生长过程中和降温时温度场的均匀一致，提高碳化硅晶体的质量与成品率。
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公开(公告)号：CN108149315B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810069412.9
申请日：2018-01-24
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚集形成的热应力得到有效释放，降低晶体的开裂率，提高晶体的成品率。
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公开(公告)号：CN108103576A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711448622.0
申请日：2017-12-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备，该保温设备具有石墨坩埚，碳化硅原料和碳化硅籽晶分别置于所述石墨坩埚的底部高温区和顶部低温区，所述石墨坩埚外部采用保温桶覆盖，所述保温桶中位于所述碳化硅籽晶顶部的部分具有凸起，所述突起具有中心测温孔，不仅可以实时监测坩埚顶部的温度实现间接实时调控晶体生长，还可通过组合调整参数中心测温孔直径，所述凸起的高度和厚度等来实现对晶体生长界面轴向和径向温度场的调控，从而提高制备的碳化硅晶体的质量。
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公开(公告)号：CN108048911A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711386305.0
申请日：2017-12-20
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法，将籽晶连接至籽晶托表面，采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体，所述物理气相沉积技术的参数包括：生长气氛压强为5～40 Torr，生长温度为2000～2400℃，生长时间为50小时以上，优选100～150小时；所述籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底内表面上的致密碳化硅多晶膜层，所述致密碳化硅多晶膜层的尺寸为4英寸以上，厚度为0.5～10 mm，平整度为1～100μm。
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公开(公告)号：CN106801258A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611237098.8
申请日：2016-12-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： C30B29/38 , C30B23/007 , C30B29/62
摘要： 本发明涉及一种具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法，所述具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法，采用物理气相传输法，通过中频感应加热方式将原料AlN加热成气相，通过控制生长温度为1700‑1750℃，控制生长压力为200‑300 Torr，结晶形成六棱柱状的AlN晶须。本发明在较低的温度下，通过控制生长速率获得六棱柱AlN晶须。
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公开(公告)号：CN106191998A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589495.5
申请日：2016-07-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热除碳，得到所述多孔氮化铝。本发明利用氮化铝高温升华的特性，从气相生长角度出发，直接将氮化铝放入石墨坩埚中进行加热制备，成功将造孔剂碳掺入氮化铝晶体中，不需要任何添加剂。然后将碳掺入氮化铝晶体在空气气氛中加热除碳，利用氧气，将碳氧化成气相一氧化碳或二氧化碳除去，最终形成多孔结构。
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公开(公告)号：CN104233458A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410520081.8
申请日：2014-09-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托，所述石墨籽晶托包括石墨基底和设置于石墨基底面向籽晶一侧的表面上的致密碳化硅多晶层，所述籽晶通过粘结剂连接至所述致密碳化硅多晶层。
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公开(公告)号：CN110284199B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910641432.3
申请日：2019-07-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种晶体原位碳化退火装置及方法，所述晶体原位碳化退火装置包括：形成生长室并在其内部生长晶体的石墨坩埚；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分坩埚顶部的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层，所述上保温层朝向所述石墨坩埚一侧悬挂硅粉装载单元，所述上保温层在晶体稳定生长时位于远离坩埚的生长炉顶部，当生长结束时，下降所述上保温层，盖住所述石墨坩埚并借助退火温度使硅粉装载单元释放硅气氛进入所述生长室。
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公开(公告)号：CN107190322B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710213529.5
申请日：2017-04-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入生长炉中，并使所述石墨坩埚体的底部和/或下部位于加热区以使石墨坩埚体的底部的温度高于石墨坩埚顶盖的温度，采用物理气相传输方法或者高温化学气相沉积法在所述碳膜层表面生长碳化硅多晶陶瓷材料。本发明生长方法简易，所述碳化硅多晶陶瓷比传统碳化硅陶瓷性能更优异，其均匀性好，致密度更好，纯度更高，热导率更好。
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