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公开(公告)号：CN106498491A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610939929.X
申请日：2016-11-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： C30B25/00 , C30B23/00 , C30B28/12 , C30B35/007
摘要： 本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底；盛放原料的小舟放置在B端，小舟与衬底间距为15~35cm；石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺，在一步提纯过程中，即可以去除原料中的低熔点杂质，同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强，保证了气相法晶体生长的原料的纯度，解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。
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公开(公告)号：CN104357807A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410532387.5
申请日：2009-03-26
申请人： GTAT公司
发明人： 秦文军
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/45563 , C23C16/46 , C30B28/12 , C23C16/45561
摘要： 本发明提供在反应器中通过化学气相沉积制造多晶硅或另一材料的系统和方法，其中利用硅竖管来分配气体。硅竖管可经由喷嘴耦合器接附到反应器系统，使得先质气体(precursor gases)可注射到反应室的不同部份。结果，可改良在整个反应室内的气体流动，这能够增加多晶硅的产率、改善多晶硅的质量和降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN102016135B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980114398.9
申请日：2009-04-17
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/203 , C30B29/38 , C23C14/06 , C30B23/08
CPC分类号： C30B23/00 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B28/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , Y10T428/24471
摘要： 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。
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公开(公告)号：CN102027156A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980116944.2
申请日：2009-03-26
申请人： GT太阳能公司
发明人： 秦文军
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/45563 , C23C16/46 , C30B28/12
摘要： 本发明提供在反应器中通过化学气相沉积制造多晶硅或另一材料的系统和方法，其中利用硅竖管来分配气体。硅竖管可经由喷嘴耦合器接附到反应器系统，使得先质气体(precursor gases)可注射到反应室的不同部份。结果，可改良在整个反应室内的气体流动，这能够增加多晶硅的产率、改善多晶硅的质量和降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN106191998A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589495.5
申请日：2016-07-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热除碳，得到所述多孔氮化铝。本发明利用氮化铝高温升华的特性，从气相生长角度出发，直接将氮化铝放入石墨坩埚中进行加热制备，成功将造孔剂碳掺入氮化铝晶体中，不需要任何添加剂。然后将碳掺入氮化铝晶体在空气气氛中加热除碳，利用氧气，将碳氧化成气相一氧化碳或二氧化碳除去，最终形成多孔结构。
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公开(公告)号：CN103270202B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
申请人： 东洋炭素株式会社
CPC分类号： C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
摘要： 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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公开(公告)号：CN105949206A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610326571.3
申请日：2016-05-16
申请人： 昆明学院
IPC分类号： C07D487/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B23/00 , C30B28/12
CPC分类号： C07D487/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07B2200/13 , C30B23/00 , C30B28/12
摘要： 一种全氟酞菁铜(η‑F16CuPc)，该全氟酞菁铜(η‑F16CuPc)的X‑射线衍射谱(测试条件：CuKα1，0.02°/step/1s)在下列的2θ±0.10°处具有至少一个特征峰：6.32°、6.60°、7.06°和27.72°。
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公开(公告)号：CN103270203A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
申请人： 东洋炭素株式会社
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
摘要： 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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公开(公告)号：CN104357807B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201410532387.5
申请日：2009-03-26
申请人： OCI有限公司
发明人： 秦文军
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/45563 , C23C16/46 , C30B28/12
摘要： 本发明提供在反应器中通过化学气相沉积制造多晶硅或另一材料的系统和方法，其中利用硅竖管来分配气体。硅竖管可经由喷嘴耦合器接附到反应器系统，使得先质气体(precursor gases)可注射到反应室的不同部份。结果，可改良在整个反应室内的气体流动，这能够增加多晶硅的产率、改善多晶硅的质量和降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN103270203B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
申请人： 东洋炭素株式会社
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
摘要： 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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