一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法

    公开(公告)号:CN106191998A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610589495.5

    申请日:2016-07-25

    IPC分类号: C30B28/12 C30B33/02

    CPC分类号: C30B28/12 C30B33/02

    摘要: 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法,包括:采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相,再进行冷凝结晶,得到碳掺杂氮化铝多晶;将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中,在700~900℃下加热除碳,得到所述多孔氮化铝。本发明利用氮化铝高温升华的特性,从气相生长角度出发,直接将氮化铝放入石墨坩埚中进行加热制备,成功将造孔剂碳掺入氮化铝晶体中,不需要任何添加剂。然后将碳掺入氮化铝晶体在空气气氛中加热除碳,利用氧气,将碳氧化成气相一氧化碳或二氧化碳除去,最终形成多孔结构。