-
公开(公告)号：CN103282557B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180062368.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02598 , H01L29/1608
Abstract: 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
-
公开(公告)号：CN103270201B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180062376.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
-
公开(公告)号：CN103282557A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062368.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02598 , H01L29/1608
Abstract: 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
-
公开(公告)号：CN102596851A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080045788.8
申请日：2010-10-13
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/645 , C01B32/05 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明的目的在于提供充分发挥可在非常短时间内得到致密的碳材料的SPS法的优点，并且能够实现硬度和物性值的提高的碳材料及其制造方法。一种碳材料，其特征在于，其通过向模具内填充将碳骨材及粘合剂混合而成的混合粉的第1步骤、和边对上述混合粉进行加压、边通过放电等离子体烧结法进行烧结的第2步骤而制作，肖氏硬度的HSD值为60以上，热膨胀率的各向异性比、电阻率的各向异性比或热导率的各向异性比为1.5以上。
-
公开(公告)号：CN103270203B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103270202A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
-
公开(公告)号：CN103270201A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062376.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
-
公开(公告)号：CN103270202B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
-
公开(公告)号：CN102596851B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201080045788.8
申请日：2010-10-13
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/645 , C01B32/05 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明的目的在于提供充分发挥可在非常短时间内得到致密的碳材料的SPS法的优点，并且能够实现硬度和物性值的提高的碳材料及其制造方法。一种碳材料，其特征在于，其通过向模具内填充将碳骨材及粘合剂混合而成的混合粉的第1步骤、和边对上述混合粉进行加压、边通过放电等离子体烧结法进行烧结的第2步骤而制作，肖氏硬度的HSD值为60以上，热膨胀率的各向异性比、电阻率的各向异性比或热导率的各向异性比为1.5以上。
-
公开(公告)号：CN103270203A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.019 seconds)
