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公开(公告)号：CN107004592A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN106030774A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009990.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。
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公开(公告)号：CN104854678A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380059730.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/673 , C23C10/02 , C23C10/22 , C30B29/36 , C30B33/12 , C30B35/002 , F27B17/0025 , H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
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公开(公告)号：CN107002288B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B33/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN104854678B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380059730.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/673 , C23C10/02 , C23C10/22 , C30B29/36 , C30B33/12 , C30B35/002 , F27B17/0025 , H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103270203B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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公开(公告)号：CN103270202A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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公开(公告)号：CN103270201A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062376.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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公开(公告)号：CN107004585B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201580062667.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平坦，其中该碳化硅基板(40)在表面具有注入了离子的离子注入区域(46)，且在至少包含该离子注入区域(46)的部分形成有沟槽(41)。
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公开(公告)号：CN106030774B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580009990.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。
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