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公开(公告)号：CN107002288B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B33/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN104854678B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380059730.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/673 , C23C10/02 , C23C10/22 , C30B29/36 , C30B33/12 , C30B35/002 , F27B17/0025 , H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
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公开(公告)号：CN119381255A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411443275.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
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公开(公告)号：CN107004592A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN106030774A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009990.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104854678A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380059730.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/673 , C23C10/02 , C23C10/22 , C30B29/36 , C30B33/12 , C30B35/002 , F27B17/0025 , H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
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公开(公告)号：CN112585724A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054946.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , H01L21/302
Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
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公开(公告)号：CN107004592B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN106029960B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580009773.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。
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公开(公告)号：CN108474139A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076536.9
申请日：2016-12-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 提供一种在利用溶液生长法使单晶碳化硅生长的情况下，制造高纯度的单晶碳化硅的方法。本制造方法中，在通过溶液生长法使外延层在至少表面由SiC组成的种子材料上生长而制造单晶碳化硅的方法中，以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度变得非常低的方式使单晶碳化硅生长。另外，提供一种收容容器，是用以通过使用Si熔液的溶液生长法而使单晶碳化硅生长的收容容器，其中至少在表面设置有将作为追加原料的SiC及C的至少一者追加于Si熔液内的供给材料。由此，通过使用此收容容器进行溶液生长法，可不用进行特别的处理而制造高纯度的单晶碳化硅。
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