公开(公告)号：CN112585724B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201980054946.7

申请日：2019-07-25

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 矢吹纪人 ,  中岛祐治 ,  坂口卓也 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  H01L21/302

Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。

公开(公告)号：CN112585724A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980054946.7

申请日：2019-07-25

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 矢吹纪人 ,  中岛祐治 ,  坂口卓也 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  H01L21/302

Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。

公开(公告)号：CN119381255A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411443275.2

申请日：2019-07-25

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 矢吹纪人 ,  中岛祐治 ,  坂口卓也 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。