公开(公告)号：CN118414725A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280084393.1

申请日：2022-12-09

申请人： OCI有限公司

发明人： 吴珉暻 ,  卢民镐 ,  蒋濬贤 ,  池银玉

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M4/02

摘要： 根据本发明的二次电池用负极活性物质的制备方法，在制备具有i)在包含纳米硅及非晶碳的复合材料形成有沥青涂膜的结构；或者ii)石墨核及围绕上述核的纳米硅‑沥青壳结构的二次电池用负极活性物质的过程中，通过使用两种溶剂来形成沥青涂膜，可以提高沥青涂膜的均匀性及致密性。并且，本发明的包含二次电池用负极活性物质的二次电池用负极材料可以提高二次电池的初始放电容量、初始效率及寿命特性。

公开(公告)号：CN118355523A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280054112.8

申请日：2022-12-09

申请人： OCI 有限公司

发明人： 李承官 ,  郑恩惠 ,  池银玉

IPC分类号： H01M4/134 ,  H01M4/131 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/587 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/1391

摘要： 本发明公开一种可以提高二次电池的初始放电容量、初始效率以及寿命特性的二次电池用负极材料及其制备方法。本发明的包含表面涂敷有碳的活性物质、导电材料以及粘结剂的二次电池用负极材料中，上述活性物质包含掺杂镁的复合物，上述掺杂镁的复合物包含氧化硅(SiOx，0.5＜x≤2)纳米粒子、硅(Si)纳米粒子以及氧化镁纳米粒子，上述氧化镁纳米粒子的直径可以为30～150nm。

公开(公告)号：CN110452726B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910379451.3

申请日：2019-05-08

申请人： OCI有限公司

发明人： 宋永石 ,  金知燦 ,  徐东必 ,  李周炯

IPC分类号： C10C1/00 ,  C10C1/14 ,  C10C1/20

摘要： 本发明涉及包含大量固体成分的煤焦油的处理方法，更具体地，涉及从包含大量固体成分的煤焦油回收去除固体成分的煤焦油，并获取喹啉含量低的煤焦油泥来作为副产物的方法。

公开(公告)号：CN111484850B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010058349.6

申请日：2020-01-19

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及一种硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明涉及硅基板蚀刻溶液，更详细地，涉及可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(硅)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN116103752A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211396415.6

申请日：2022-11-09

申请人： OCI有限公司

发明人： 金佳福 ,  姜秉昶 ,  朴秉铉 ,  田埈基 ,  郑昌垣 ,  全昇安

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/36 ,  C30B28/14

摘要： 高纯SiC晶体的制造方法，本发明涉及制造高纯碳化硅(silicon carbide，SiC)晶体的方法，更具体地，涉及以优秀的收率大量生产杂质的含量极低的高纯SiC的方法。

公开(公告)号：CN109836851B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201811442195.X

申请日：2018-11-29

申请人： OCI有限公司

发明人： 李在锡

IPC分类号： C09C1/56 ,  C09C3/06

摘要： 本发明涉及可防止或缓解表面氧化改性后因残留臭氧而使碳黑的表面氧化度发生变化的碳黑的氧化方法以及使其包括在单一连续工序中的碳黑的制备方法。

公开(公告)号：CN112521946A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010709396.2

申请日：2020-07-22

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  梁俊镐 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN112216607A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010626275.1

申请日：2020-07-01

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： H01L21/3105

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，提供一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，由于该氮化硅膜蚀刻溶液包含与以相同体积为基准的球形的第一胶体二氧化硅粒子相比表面积增加的第二胶体二氧化硅粒子，即使在高温下也可以防止胶体二氧化硅粒子的凝集现象，从而防止硅类颗粒的产生，在蚀刻条件下，提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN112210379A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010554002.0

申请日：2020-06-17

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及包括通过使用其来进行的蚀刻工序的半导体器件的制备方法，该氮化硅膜蚀刻溶液中包含具有杂芳基类取代基的化合物，因此不易分解且在磷酸水溶液中显出高分布度，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN109207151B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201810730527.8

申请日：2018-07-05

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC分类号： C09K13/04 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1：在所述化学式1中，n为0至4的整数，R1至R3各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，R1至R3中的一种以上为羟基，R4选自由氢、卤素、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，X1为‑(C(R5)(R6))m‑，m为0至3，R5及R6各自独立地选自由氢、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中。