-
公开(公告)号：CN118667549A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410767761.3
申请日：2024-06-14
申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
摘要： 本申请提供了一种蚀刻溶液以及聚丙烯基绝缘料的刻蚀方法。蚀刻溶液的组成包括0.8g/mL~4g/mL的酸以及0.1g/mL~2g/mL的强氧化剂；酸包括硫酸、硝酸及磷酸中的一种或多种；强氧化剂包括高锰酸钾、重铬酸钾、高铁酸钠中的一种或多种；蚀刻溶液用于刻蚀聚丙烯基绝缘料，聚丙烯基绝缘料包括聚丙烯基体及弹性体。本申请提供的蚀刻溶液以特定酸为主体，配合使用特定强氧化剂，对聚丙烯基绝缘料中多相共混物进行分散性刻蚀，选择性去除其中弹性体粒子，而且对聚丙烯基体损伤相对较小。且上述蚀刻溶液不需要对刻蚀的过程进行额外加热处理，在常温下即有良好的刻蚀效率。
-
公开(公告)号：CN117080066B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311323947.1
申请日：2023-10-13
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/66 , C09K13/04 , C23F1/18 , C23F1/30 , C23F1/28
摘要： 本申请提供了一种碳化硅芯片表层的去层的方法，包括步骤：通过乙醇胺溶液去除碳化硅芯片的钝化层；通过硝酸去除所述碳化硅芯片的铜箔层、银烧结层和镍钯金层；对所述碳化硅芯片进行电性测试；通过王水对所述碳化硅芯片的铝铜层进行去除，得到表层去层后的碳化硅芯片。通过分步去除碳化硅芯片的不同金属层，解决了一次去除所有层而导致存在大量脏污影响去除效率，在去除过程中不损伤碳化硅芯片本体；同时，在去除中间进行电性测试，可明确哪一金属层对芯片电性参数造成影响，不同的芯片去层程度可满足特定失效分析需求，如电性能测试或热点定位分析。
-
-
公开(公告)号：CN115151516A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180014557.9
申请日：2021-01-05
申请人： 康宁公司
摘要： 用于处理基板的设备和方法，例如纹理化基板。在一些实施例中，将掩蔽材料按预定图案施加至所述基板的表面，然后用去除所述掩蔽材料的蚀刻剂接触所述表面。用所述蚀刻剂接触所述表面产生多个共定位纹理。在其他实施例中，可消除所述掩蔽步骤，并以预定图案施加所述蚀刻剂，以产生多个共定位纹理。在又其他实施例中，所述基板具有化学组成，并且所述基板暴露在浸出剂中，所述浸出剂浸出所述化学组成中的至少一种成分，以产生在所述基板表面处具有不同化学组成的基板。
-
公开(公告)号：CN115083927A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210743971.X
申请日：2022-06-27
申请人： 安徽精卓光显技术有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基板的制作方法，通过在透明基材的表面形成导电金属层，并采用除油剂对导电金属层进行除油、微蚀刻处理，最后在导电金属层的表面沉积锡层，以使锡层覆盖于所述导电金属层的表面，从而达到保护导电金属层的效果。同时，除油剂包括浓度小于2g/L的Cu2+离子，能够对导电金属层的表面进行轻微的侵蚀，以去除导电金属层的表面脏污，提高锡层与导电金属层的附着力和结合力。可见，采用本发明的一种基板的制作方法，能够在基板的表面形成可靠的保护层，防止基板被氧化，延长使用寿命。
-
公开(公告)号：CN112458542B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011239999.7
申请日：2020-11-09
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C30B33/10 , C30B33/00 , C30B29/46 , C25D5/00 , C25D5/12 , C25D7/12 , C25D3/48 , C25D3/12 , C23C28/02 , C23C18/36 , H01L35/16 , H01L35/34 , C11D7/10 , C11D7/60 , C09K13/04
摘要： 本发明公开了一种p型碲化铋基材料的表面处理剂，包括粗化液和除灰液两部分；所述粗化液的组成按体积百分比计包括：5～50％盐酸、5～40％双氧水、5～10％硝酸、余量为水；所述除灰液的组成按体积百分比计包括：5～50％氢氟酸、5～20％盐酸、5～10％硝酸、余量为水。该表面处理剂在使用时，粗化液和除灰液配合使用，洁净的p型碲化铋基晶片先浸入粗化液中，再浸入除灰液中，即可完成预处理，后续直接通过电镀或化学镀方式进行金属化连接。本发明提出的p型碲化铋基材料的表面处理剂及方法，避免了传统喷砂‑电弧喷涂处理较薄p型碲化铋基晶片时，容易导致晶片破损的问题，同时可以减少生产环节，提高成品率及生产效率，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN114566433A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111653668.2
申请日：2021-12-31
申请人： 昆山弗莱吉电子科技有限公司 , 中南大学
摘要： 本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。
-
公开(公告)号：CN114436547A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210229542.0
申请日：2022-03-09
申请人： 长沙汇意圆科技有限公司
IPC分类号： C03C27/10 , C03C23/00 , C03C15/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , B24B29/02 , B24B9/08 , C03C21/00 , C03B27/03
摘要： 一种柔性玻璃制品制作加工方法，包括以下步骤；步骤一；将玻璃原材通过粘接组合物贴附于载板Ⅰ上，使得玻璃原材与载板Ⅰ固定；步骤二；将固定后的玻璃原材与载板Ⅰ进行化学蚀刻减薄和/或物理研磨抛光，使得玻璃原材薄化至指定厚度，并去除其表面外观缺陷，得到由载板Ⅰ固定的柔性玻璃；步骤三；将一块或复数块由载板Ⅰ固定的柔性玻璃通过粘接组合物与载板Ⅱ层叠，再通过切割、CNC成型加工，得到由载板Ⅱ固定的柔性玻璃Ⅰ；步骤四；将由载板Ⅱ固定的柔性玻璃Ⅰ，通过紫外光照射和/或加热处理，使载板Ⅰ、载板Ⅱ与柔性玻璃分离，得到柔性玻璃Ⅰ；步骤五；将步骤四的柔性玻璃Ⅰ进行钢化处理，得到柔性玻璃制品。
-
公开(公告)号：CN108018558B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201711043223.6
申请日：2017-10-31
摘要： 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
-
公开(公告)号：CN113322072A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110708889.9
申请日：2021-06-25
申请人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
222 条记录 (耗时 0.02 秒)
