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公开(公告)号：CN118931674A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410979959.8
申请日：2024-07-22
申请人： 陕西得泰实业有限公司
发明人： 李建荣
摘要： 本申请涉及除胶领域，公开了一种快速去除密封胶方法。用于去除密封胶的溶液，按重量百分比计算，包括以下物质：辛烯基琥珀酸酐20‑40％；十一烷50‑70％；苯丙三氮唑1‑5％；甲基异丁甲醇1‑5％。应用所述的用于去除密封胶的溶液的快速去除密封胶的方法，包括以下步骤：S1，将用于去除密封胶的溶液涂刷或浸泡于需去除的密封胶上，等待20‑40min，即可轻松剥离密封胶；S2，用酒精擦拭、冲洗密封胶残渣；S3，用水冲洗干净部件，自然晾干或者吹干部件。利用该配方技术制作的溶剂能够快速有效的溶解金属部件上的RTV硅橡胶、密封胶及电路板上的保形涂敷硅橡胶，同时对部件本身没有腐蚀等方面影响。
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公开(公告)号：CN118421413B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410504971.3
申请日：2024-04-25
申请人： 达高工业技术研究院(广州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种去毛刺组合物及其制备方法和应用。所述去毛刺组合物包括以下组分：二乙醇胺、尼龙酸甲酯、二缩三乙二醇、丙三醇、1,3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮、1,4‑二氧六环、乙酰胺。本发明所述去毛刺组合物用于塑封体表面的毛刺和/或溢料的软化溶解，可进一步提升去除毛刺或溢料的效果；且在增强其对树脂的软化去除的作用基础上，同时降低去毛刺组合物对基材的腐蚀损伤；此外，本发明所述去毛刺组合物可在较低温度下使用，不仅使用温度低仅需55～70℃，且处理时间短仅需30～90min，而且避免有机溶剂在高温下的挥发，避免药水非必要的蒸发损失。
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公开(公告)号：CN116043236B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202211733004.1
申请日：2022-12-30
申请人： 广东好顺欧迪斯科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种清洗剂及机车零部件的清洗方法。该清洗剂，按质量百分数计，所述清洗剂的制备原料包括如下组分：脱芳烃溶剂油：70％～85％；碳原子数为2～5的烷烃醇类溶剂：10％～20％；碳原子数为2～8的烷烃类溶剂：1％～10％；除锈剂：0.1％～1％；该清洗剂包括特定组分及其特定的配比，将特定的烷烃类溶剂、烷烃醇类溶剂和脱芳烃溶剂油通过特定配比关系配合使用，大大提高了清洗剂的清洗力，且选择的溶剂气味低，无刺激性和难闻的气味，并且各组分协同作用于清洗链条等机车零部件时，在避免对链条和油封产生腐蚀的同时，达到优异的清洗效果且不凝结水珠，有利于机车零部件后期的保养。
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公开(公告)号：CN118853313A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410856721.6
申请日：2024-06-28
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体芯片的深度清洗剂、制备方法与应用。所述深度清洗剂，按照重量份计算，包括如下组分：聚乙烯吡咯烷酮1‑5份；醇胺7‑14份；苯酚类物质0.2‑1份；醇醚10‑30份；酯类50‑70份；缓蚀剂0.1‑0.7份。本发明中缓蚀剂含氟硅氧烷会在碱性条件下进行水解生成含羟基的物质，然后与基材偶联，在基材表面生成一层疏水疏油膜，苯酚在氧气存在的条件下生成氢醌类物质，除去溶解氧，同时又起到了隔绝油和水的作用，降低了金属的氧化腐蚀。在聚乙烯吡咯烷酮、醇胺、苯酚类物质、醇醚、酯类和缓蚀剂的共同作用下，能够对深刻蚀及复杂结构芯片进行有效清洗。本发明清洗剂制备方法简单，使用方便，能实现深度清洗的同时减轻对金属的腐蚀。
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公开(公告)号：CN118726012A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310349500.5
申请日：2023-03-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆表面处理液的制备方法，具体的，本发明提供了一种晶圆表面处理液的制备方法，将所述晶圆表面处理液的原料混合，即可；所述晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005‑1％含氟化合物、0.1‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量；本发明的制备方法制备的晶圆表面处理液处理晶圆之后，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号：CN118726010A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310349457.2
申请日：2023-03-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆表面处理液，具体的，本发明提供的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005‑1％含氟化合物、0.1‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量；本发明的晶圆表面处理液处理晶圆之后，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号：CN118726008A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310342769.0
申请日：2023-03-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氟硅烷晶圆表面处理液的应用。本发明的晶圆表面处理液可用于清洗刻蚀后的晶圆；该晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟硅烷、0.1％‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量。本发明的晶圆表面处理液处理晶圆之后，IPA接触角明显增大，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号：CN118726006A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310341616.4
申请日：2023-03-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氟硅烷晶圆表面处理液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤，将所述的晶圆表面处理液的原料混合，即得到所述的晶圆表面处理液；所述的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟硅烷、0.1％‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量；本发明的制备方法制备得到的晶圆表面处理液处理晶圆之后，IPA接触角明显增大，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号：CN118440782A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410527835.6
申请日：2024-04-28
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法以及应用。所述清洗剂包括亚砜类物质、碱性化合物和氟化物；所述清洗剂包括元素S和元素N；所述清洗剂中元素S的含量为a，所述清洗剂中元素N的含量为b，所述清洗剂的pH值为c，满足1≤(a+b)*100/c≤5。本发明的清洗剂能够高效去除金属离子，从而提高半导体材料的质量和性能。
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公开(公告)号：CN114736746B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210360774.X
申请日：2022-04-07
申请人： 陕西鑫伟诚达科技有限公司
摘要： 本发明属于电子组装、半导体封装清洗助剂技术领域，提供了用于锡膏焊后的碱性水基清洗剂及其制备方法和使用方法，由以下重量份的组分制成：异丙醇胺、二乙二醇单丁醚、丙二醇甲醚、三丙二醇丁醚、缓蚀抑制剂、消泡剂和水；制备方法包括如下步骤：向反应釜中加入水后在进行加热，依次加入各组分搅拌均匀得到碱性水基清洗剂；碱性水基清洗剂通过水进行稀释后，对锡膏焊后的PCBA工件进行超声清洗或者喷淋清洗，然后漂洗、干燥。本发明制备的清洗剂能够快速有效的去除焊后锡膏、助焊剂及油污、灰尘等残留物质，清洗之后焊点保持光亮，配方温和，适用于较长接触时间的清洗应用。
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