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公开(公告)号：CN118591868A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018617.3
申请日：2023-02-17
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/36
摘要： 本发明的课题在于提供一种即使在从制造起经过规定期间后使用时，残渣的去除性能及含钨膜的耐腐蚀性也优异，并且能够抑制含钨膜的电气特性的劣化的组合物、以及半导体元件的制造方法。本发明的组合物包含：山梨酸；柠檬酸；选自氨、有机胺及季铵化合物、以及它们的盐中的至少一种的含胺化合物；具有选自膦酰基及磷酸基中的至少一种基团的特定化合物；及水，所述组合物在25℃下的pH为4.0～9.0。
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公开(公告)号：CN118516192A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410624692.0
申请日：2024-05-20
申请人： 郑州华核新材料科技有限公司
IPC分类号： C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/34 , C11D7/04 , C11D7/36 , C11D3/04 , C11D3/36 , C11D3/34 , C11D3/60 , C11D1/22
摘要： 本发明公开了一种用于半导体成型模具的清洗剂组合物，属于半导体成型模具清洗技术领域。按质量分数计，所述清洗剂组合物的组分除水外还包括：无机强碱3～7％、氧化剂5～10％、可溶性氟盐0.5～2％、耐碱离子螯合剂2～5％、润湿剂0.3～1％和缓蚀剂0.5～1％；其中，无机强碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。本发明通过合理选择用于半导体成型模具的清洗剂组合物的原料，得到了一种清洁时间短、去污能力强的清洗剂组合物，所提供的清洗剂组合物在具备良好清洁能力的同时，对于金属半导体成型模具的腐蚀性小，具有良好的推广应用前景。
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公开(公告)号：CN118440782A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410527835.6
申请日：2024-04-28
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法以及应用。所述清洗剂包括亚砜类物质、碱性化合物和氟化物；所述清洗剂包括元素S和元素N；所述清洗剂中元素S的含量为a，所述清洗剂中元素N的含量为b，所述清洗剂的pH值为c，满足1≤(a+b)*100/c≤5。本发明的清洗剂能够高效去除金属离子，从而提高半导体材料的质量和性能。
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公开(公告)号：CN117625323A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310948178.8
申请日：2023-07-31
申请人： 徐州谷阳新能源科技有限公司
摘要： 本发明公布一种碱抛光常温后碱洗方法及碱洗液，所述碱洗液包含：初配碱洗液包含：氢氧化钠、双氧水以及纯水；清洗设定时长后再向初配碱洗液中加入少量的氢氧化钠、双氧水以及纯水。采用该碱洗液对太阳能电池片进行碱洗，所述碱洗方法包含以下步骤：采用初配碱洗液在温度25℃条件下对太阳能电池片进行碱洗，时间为120秒，结束该组电池片碱洗；再向初配碱洗液中加入少量的氢氧化钠、双氧水以及纯水对下一组太阳能电池片进行碱洗。该工艺能够解决双氧水常温较高温难分解的问题，使槽内有足够化学品清洗硅片表面的脏污残留；并且能够大大降低化学品耗量，如氢氧化钠或氢氧化钾、双氧水。
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公开(公告)号：CN117256626A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311156295.7
申请日：2023-09-06
申请人： 禹泓冠品环保科技(上海)有限公司
发明人： 吴小军
摘要： 本申请的目的是提供一种离子型水凝胶及清洁剂及其制备方法，离子型水凝胶的重量百分比包括：2～5％的凝胶基材，1～1.5％的无机氧化剂，1～1.5％的摩擦剂，0.1％～0.5％的无机色粉，92～95％的碱性离子水。与现有技术相比，本申请提供的离子型水凝胶及其制备方法在具备良好的去污和杀菌的性能的同时，具有成本低、使用方便和安全性高等特点。
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公开(公告)号：CN113386359B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110658598.3
申请日：2016-08-14
申请人： 斯特拉塔西斯公司
IPC分类号： B29C64/40 , B29C35/08 , B29C64/112 , B29C64/264 , B29C64/35 , B29C64/357 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C07D401/00 , C08F2/48 , C08F220/28 , C08F220/54 , C08F222/10 , C08F283/06 , C08F290/06 , C11D7/06 , C11D7/14 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03G9/087
摘要： 本发明公开一种支撑材料制剂及制造三维模型物体的方法，特征是提供一种具有改善的溶解速率的固化的支撑材料，同时保持足够的机械强度。所述支撑材料制剂包含水混溶性的不可固化的聚合物、一第一水混溶性可固化材料和一第二水混溶性材料，所述第二水混溶性材料能够干扰将所述第一水混溶性材料暴露于固化能量之后形成的多个聚合物链之间的多个分子间的相互作用。
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公开(公告)号：CN114836274B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210549421.4
申请日：2022-05-20
申请人： 高景太阳能股份有限公司 , 广东金湾高景太阳能科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种双组份硅片清洗剂及清洗方法，用于制作硅太阳能电池，属于太阳能电池生产技术领域。本发明所述清洗剂包含A组分和B组分，所述A组分按重量百分含量计，包含如下成分：无机碱5～10％、有机碱0.5～1.5％、分散剂4～8％和氧化抑制剂3～5％，余量为水；所述B组分按重量百分含量计，包含如下成分：醇醚溶剂12～15％，余量为水。本发明通过对清洗剂的成分进行选择，大幅提升了清洗良率。并且本发明不使用清洗工序常使用的双氧水槽，提高了清洗过程的安全性。
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公开(公告)号：CN115621337A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110805651.8
申请日：2021-07-16
申请人： 福建钜能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/08 , C30B33/00 , C30B29/06 , C11D3/39 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/60
摘要： 本发明公开了一种HJT电池生产中的单晶制绒工艺，所述方法包括如下步骤：硅片用纯水进行水洗，洗去表面脏污；对硅片进行预清洗；纯水水洗后对已经预处理后的硅片进行制绒，形成均匀的绒面；纯水水洗后用氢氧化钾与双氧水的混合溶液对制绒后的硅片进行一次清洗；纯水水洗后用盐酸与双氧水混合液对制绒后的硅片进行二次清洗；纯水水洗后使用氢氟酸溶液清洗硅片，达到脱水目的后再纯水水洗；硅片用纯水进行慢提拉，进行预烘干；将所得硅片进行烘干。本发明使用的制绒清洗工艺较传统单晶制绒工艺相比，工艺流程减少，清洗液不存在含氮物质，无需臭氧发生器进而杜绝改种物质对环境的污染影响，使用的的化学品种类较少，减少了使用的原材料成本。
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公开(公告)号：CN115449440A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211021776.2
申请日：2022-08-24
申请人： 翱途能源科技(无锡)有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗剂及其制备工艺，所述清洗剂为中性清洗剂，由如下原料组成：羟基乙叉二膦酸、乙二胺四乙酸二钠、氢氧化钠、葡萄糖酸钠及水溶液。本发明的清洗剂，其不会对管路造成腐蚀，无排放污染，绿色环保，其在高温条件下的清洗速率可与盐酸相当。在高温条件下清洗速度与传统清洗剂相当。
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公开(公告)号：CN115156170A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210808453.1
申请日：2022-07-11
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , H01L21/02 , C11D3/04 , C11D3/39 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/04 , C11D7/32 , C11D7/60 , C11D3/60
摘要： 一种锑化铟晶片的清洗方法，包括以下步骤：将抛光后的锑化铟单晶晶片在超声条件下采用抛光片在溶液A中进行第一次浸洗；再采用溶液B进行第二次浸洗；然后依次经第一次水漂洗、浓硫酸清洗、第二次水漂洗、溶液C清洗、第三次水漂洗、酸性溶液清洗、第四次水漂洗和烘干，得到清洗后的锑化铟晶片；溶液A包括：醇胺类化合物30～60wt％；氢氧化四甲基胺1～10wt％；耐碱渗透剂0.05～1wt％；余量的水；溶液B包括：表面活性剂1～5wt‰；氢氧化钠5～10wt‰；双氧水3～6wt‰；余量的水；溶液C包括：柠檬酸钠1～5wt‰；氢氧化钾4～12wt％；双氧水0.5～3wt％；余量的水。该清洗方法采用多种特定溶液进行多步清洗，能够有效去除晶片表面残留的杂质、颗粒，获得洁净、低氧化层厚度和粗糙度的表面，满足外延生长的要求。
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