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公开(公告)号：CN120065655A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510228996.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/40 , G03F7/42 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/039 , H01L21/304 , C11D7/50 , C11D7/26 , C11D7/24
Abstract: 本发明的课题为提供一种即使在长期保存之后，缺陷抑制性能也优异的药液、试剂盒、图案形成方法、药液的制造方法及药液收容体。本发明的药液为含有有机溶剂、酸成分及金属成分的药液，其中，酸成分的含量相对于药液的总质量为1质量ppt以上且15质量ppm以下，金属成分的含量相对于药液的总质量为0.001～100质量ppt。
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公开(公告)号：CN112384858B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201980046230.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题为提供一种即使在长期保存之后，缺陷抑制性能也优异的药液、试剂盒、图案形成方法、药液的制造方法及药液收容体。本发明的药液为含有有机溶剂、酸成分及金属成分的药液，其中，酸成分的含量相对于药液的总质量为1质量ppt以上且15质量ppm以下，金属成分的含量相对于药液的总质量为0.001～100质量ppt。
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公开(公告)号：CN118591868A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018617.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/36
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即使在从制造起经过规定期间后使用时，残渣的去除性能及含钨膜的耐腐蚀性也优异，并且能够抑制含钨膜的电气特性的劣化的组合物、以及半导体元件的制造方法。本发明的组合物包含：山梨酸；柠檬酸；选自氨、有机胺及季铵化合物、以及它们的盐中的至少一种的含胺化合物；具有选自膦酰基及磷酸基中的至少一种基团的特定化合物；及水，所述组合物在25℃下的pH为4.0～9.0。
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公开(公告)号：CN112449658B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201980045368.0
申请日：2019-07-05
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种与药液接触时所得到的药液的残渣缺陷抑制性及桥接缺陷抑制性优异的部件。并且，提供一种容器、药液收容体、反应槽、蒸馏塔、过滤器单元、存储罐、管路及药液的制造方法。本发明的部件为与药液接触的部件，上述部件的表面由含有铬原子及铁原子的不锈钢构成，从上述部件的表面沿着深度方向至10nm，测量上述铬原子相对于上述铁原子的原子比时，在从上述部件的表面沿深度方向3nm以内显示上述原子比的最大值，上述最大值为0.5～3.0，上述部件的表面的表面平均粗糙度为10nm以下。
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公开(公告)号：CN109075035B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780025775.6
申请日：2017-04-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/32 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够抑制半导体器件的缺陷的产生且抗腐蚀性及润湿性优异的处理液。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其含有：选自包括醚类、酮类及内酯类的组中的至少一种有机溶剂；水；及包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn的组中的至少一种金属元素的金属成分，处理液中的水的含量为100质量ppb～100质量ppm，处理液中的金属成分的含量为10质量ppq～10质量ppb。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109661615B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201780053869.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
Abstract: 本发明的课题在于提供一种含有98质量％以上的机溶剂作为主成分，且缺陷抑制性能优异的溶液。本发明的另一课题在于提供一种收容有所述溶液的溶液收容体、含有所述溶液的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用了所述溶液的图案形成方法及半导体装置的制造方法。本发明的溶液为具有至少一种沸点小于200℃的有机溶剂和沸点为250℃以上的有机杂质的溶液，所述有机溶剂的含量相对于溶液总质量为98质量％以上，所述有机杂质的含量相对于溶液总质量为0.1质量ppm以上且小于100质量ppm。
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公开(公告)号：CN110325614B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201880012596.3
申请日：2018-02-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种适用于包含含钴层的被研磨体的CMP时，在被研磨面难以产生凹陷及缺陷的研磨液。并且，本发明的另一课题在于提供一种研磨液的制造方法、研磨液原液、研磨液原液收容体及化学机械研磨方法。本发明的研磨液为化学机械研磨用研磨液，所述研磨液含有：缔合度1～3的胶体二氧化硅；有机酸；唑系化合物；及过氧化氢，使上述研磨液与钴基板接触24小时时，在上述钴基板上形成含有钴原子且厚度0.5～20nm的反应层。
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公开(公告)号：CN108885413B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780021942.X
申请日：2017-04-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: G03F7/42 , G03F7/16 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的为提供一种能够抑制缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式的半导体制造用处理液含有1种或2种以上的满足下述条件(a)的化合物(A)、1种或2种以上的满足下述条件(b)的化合物(B)、1种或2种以上的选自Al化合物及NOx化合物的化合物(C)。在该处理液中，化合物(A)的含有率的合计为70.0～99.9999999质量％，化合物(B)的含有率的合计为10‑10～0.1质量％，下述式I所表示的化合物(B)与化合物(C)的比率P为103～10‑6。条件(a)：是选自酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且上述处理液中的含有率为5.0～99.9999999质量％的化合物。条件(b)：是选自碳原子数6以上的酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且上述处理液中的含有率为10‑11～0.1质量％的化合物，(式I)P＝[化合物(C)的总质量]/[化合物(B)的总质量]。
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公开(公告)号：CN111051488B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201880052684.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C11D7/50 , B01D61/14 , C07B63/00 , C07B63/04 , C07C7/00 , C07C7/20 , C07C45/86 , C07C49/04 , C07C49/395 , C07C49/403 , C07C67/48 , C07C67/62 , C07C69/14 , C07C69/68 , C07C69/708 , C07D307/33 , G03F7/004 , H01L21/304 , C07C29/74 , C07C29/94 , C07C31/10 , C07C9/14 , C07C41/34 , C07C41/46 , C07C43/04 , C07C43/13 , C07C45/78
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得具有优异的缺陷抑制性能的药液的药液的纯化方法。本发明的课题还在于提供一种药液。本发明的药液的纯化方法将含有有机溶剂的被纯化物进行纯化而获得药液，所述药液的纯化方法中，被纯化物中的稳定剂的含量相对于被纯化物的总质量为0.1质量ppm以上且小于100质量ppm。
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