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公开(公告)号：CN118922917A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380027055.9
申请日：2023-03-16
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C11D3/48 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/36
摘要： 本发明提供一种即使在从制造起经过规定期间之后使用时，也可以抑制适用对象物上的缺陷的产生的组合物。并且，本发明提供一种半导体元件的制造方法及半导体基板的清洗方法。本发明的组合物是包含抗菌剂、有机酸、有机胺及水的组合物，上述水的含量相对于上述组合物的总质量为70质量％以上，在25℃下的pH为4.0～9.0。
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公开(公告)号：CN104152297B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201410424866.5
申请日：2011-05-09
申请人： 富士胶片株式会社
摘要： 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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公开(公告)号：CN104781915A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059364.0
申请日：2013-11-14
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC分类号： C09K13/10 , C09K13/08 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： 本发明是一种蚀刻液，其对具有包含氮化钛(TiN)的第1层、与包含过渡金属的第2层的基板进行处理，而选择性地除去第1层，且含有含氟化合物、氧化剂以及有机硅化合物。
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公开(公告)号：CN104428876A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036459.0
申请日：2013-07-17
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： 一种蚀刻方法，所述方法具有以下步骤：将蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上从而蚀刻所述含TiN层，所述蚀刻液包含水以及其水中的碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，并且所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。
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公开(公告)号：CN102242025A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110122345.0
申请日：2011-05-09
申请人： 富士胶片株式会社
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
摘要： 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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公开(公告)号：CN100520574C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN02101604.6
申请日：2002-01-07
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： G03C1/035
CPC分类号： G03C7/30541 , G03C1/0051 , G03C1/0053 , G03C1/10 , G03C1/34 , G03C1/38 , G03C7/3003 , G03C7/3022 , G03C7/3885 , G03C7/392 , G03C2001/0056 , G03C2001/03552 , G03C2200/03 , G03C2200/24 , Y10S430/156 , Y10S430/158
摘要： 一种卤化银照相感光材料，其包含一个在其上至少有一层卤化银感光乳剂层的支持体，其中所述感光材料包含至少一种通式(I)所示的化合物和至少一种通式(II)或(III)表示的释放有助于照相的基团的化合物，该化合物在与显影剂的氧化物形式偶合后能够形成一种基本不会影响染色的化合物，通式中各取代基的定义见说明书中。(X)k-(L)m-(A-B)n (I)；COUP1-D1 (II)；COUP2-C-E-D2 (III)。
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公开(公告)号：CN117441226A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040968.X
申请日：2022-06-10
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C11D3/36 , C11D3/20 , C11D1/22 , C11D1/12
摘要： 本发明提供一种保存稳定性优异的清洗组合物、半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明的清洗组合物包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，多元羧酸相对于螯合剂的质量比为10～200，多元羧酸相对于磺酸的质量比为70～1000，该清洗组合物的pH为0.10～4.00，导电率为0.08～11.00mS/cm。
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公开(公告)号：CN107210215B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201680006546.5
申请日：2016-02-04
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/308
摘要： 本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。
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公开(公告)号：CN104412371A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035304.5
申请日：2013-07-17
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/30604 , C09K13/00 , C09K13/02 , C09K13/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/26 , C23F1/38 , C23F1/44 , C23G1/106 , C23G1/205 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/6704
摘要： 一种蚀刻半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：通过将第一液体与第二液体混合以在8.5至14的pH范围内制备蚀刻液，所述第一液体含有碱性化合物，所述第二液体含有氧化剂；并且之后适时地将所述蚀刻液涂布到半导体基板，用于蚀刻所述半导体基板之中或之上的含Ti层。
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公开(公告)号：CN104152297A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410424866.5
申请日：2011-05-09
申请人： 富士胶片株式会社
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
摘要： 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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