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公开(公告)号：CN105874562A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480055153.4
申请日：2014-10-09
申请人： E.I.内穆尔杜邦公司 , EKC技术公司
发明人： H·崔
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/311
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B3/08 , B08B3/10 , C11D3/2082 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/34 , C23F1/38 , C23F1/40 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807 , H01L21/76814
摘要： 本公开涉及用于从半导体基板移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti以及Ti和W的合金组成的硬遮罩的方法。所述方法包括使所述半导体基板与移除组合物接触。所述移除组合物包含0.1重量％至90重量％的氧化剂；0.0001重量％至50重量％的羧酸盐；以及补足100重量％的所述移除组合物的剩余部分，包括去离子水。
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公开(公告)号：CN105689709A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610058471.7
申请日：2016-01-28
申请人： 佛山市安齿生物科技有限公司
CPC分类号： Y02P10/295 , B22F3/1055 , A61L27/06 , A61L27/50 , A61L2400/12 , A61L2400/18 , A61L2430/12 , A61L2430/24 , B22F3/24 , B22F2003/245 , C23F1/38
摘要： 本发明公开了一种SLM成型钛种植体表面微纳分级结构的构建方法，包括以下步骤：（1）钛种植体SLM成型：以金属钛粉末为原料，采用SLM成型3D打印方式打印出表面具有微米级结构的钛种植体；（2）喷砂处理：采用刚玉或二氧化钛对SLM成型钛种植体表面喷砂处理；（3）酸洗去杂：将喷砂处理后的SLM成型钛种植体置入酸洗液中进行酸洗处理；（4）水热处理：将酸洗处理后的SLM成型钛种植体置入碱液中进行水热处理；每一步骤之后都将SLM成型钛种植体依次置于丙酮、95%乙醇、去离子水中分别超声清洗，干燥。本发明不仅步骤简单，易于操作，而且构建具有微纳分级结构的SLM成型钛种植体表面，有效地改善了SLM成型钛种植体表面的粗糙度、微观形态及亲水性。
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公开(公告)号：CN103205259A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310076691.9
申请日：2013-03-11
申请人： 株式会社杰希优
发明人： 克里斯托弗·科多尼尔 , 锅岛三弘 , 熊谷真吾 , 高桥直贵
CPC分类号： C09K13/02 , C03C15/00 , C03C17/09 , C03C2217/258 , C03C2217/259 , C03C2218/154 , C03C2218/33 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/44
摘要： 本发明的目的在于，提供一种选择性蚀刻方法，其为以实用的速度、且与基底基材相比优先选择性蚀刻钛以及其它金属的方法。该方法为一种蚀刻方法，其特征在于，将设于选自玻璃、硅、铜和镍的基底基材上的选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金的层与本质上含有1种以上络合剂且为碱性的蚀刻液接触，选择性蚀刻选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金，前述络合剂选自下式（I）和（II）所示的化合物。
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公开(公告)号：CN102149851A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135062.0
申请日：2009-08-25
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： C23F1/38
CPC分类号： C23F1/38 , C23F1/44 , C23G1/205 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及一种钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的蚀刻液，该蚀刻液含有过氧化氢、有机酸盐和水。通过使用该蚀刻液，可进行抑制了起泡的钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的均匀的蚀刻，可得到钛系金属、钨系金属、钛钨系金属的相对于其他金属和基板材料的选择蚀刻性优异的蚀刻液。
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公开(公告)号：CN108588718A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810370366.6
申请日：2018-04-23
申请人： 中国航发哈尔滨东安发动机有限公司
摘要： 发明涉及一种钛合金精锻叶片的化铣方法，首先通过测量和分组，对叶片厚度差最小的地方进行耐酸碱防护胶进行防护，然后分别对每组叶片进行化铣，有效地达到了叶片均匀去量的目的，使得叶片的轮廓度及光洁度满足工艺要求。本发明实现了去除余量一致，避免了终锻结束后复杂的余量均匀去除工作，整个化铣防护过程方法简单容易控制，保证钛合金叶片的轮廓度和光洁度要求。
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公开(公告)号：CN104838040B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201380064446.4
申请日：2013-12-04
申请人： 东进世美肯株式会社
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/458
摘要： 本发明公开一种能够同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双重膜或铜膜和金属膜的双重膜的蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物包含：5至20重量％的过氧化氢；0.1至5重量％的磺酸化合物；0.1至2重量％的羰基类有机酸化合物；0.1至0.4重量％的氟化合物；0.01至3重量％的唑类化合物；以及，其余重量％的水。
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公开(公告)号：CN102985596B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180030089.0
申请日：2011-05-27
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F1/14
摘要： 提供一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液、以及使用其的包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液，其中配混有(A)分子内具有两个以上羧基、且具有一个以上羟基的有机酸离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氨和/或铵离子供给源，所述蚀刻液的pH为5~8；以及使用其的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN102648269B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080040535.1
申请日：2010-11-15
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , C09K13/04
CPC分类号： C23F1/38
摘要： 本发明公开了一种用于单层钼膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包括：5～25wt％的过氧化氢(H2O2)；0.5～3wt％的环胺化合物；0.5～5wt％的添加剂，所述添加剂包括选自由柠檬酸二氢钠、柠檬酸氢二钠、磷酸氢二钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少一种；和余量水。
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公开(公告)号：CN103361644A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310123603.6
申请日：2013-04-10
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
CPC分类号： C09K13/00 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , G03F7/20 , G03F7/32 , H05K3/067 , H05K2201/0338
摘要： 本发明提供用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法。一种液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源以及(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9。
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公开(公告)号：CN103258727A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310112019.0
申请日：2008-12-19
申请人： 和光纯药工业株式会社
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/38 , C23F1/44
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。
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