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公开(公告)号：CN110462103A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880021257.1
申请日：2018-03-23
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F1/18
摘要： 本发明涉及压延铜箔的制造方法、压延铜箔的表面处理方法以及压延铜箔用表面处理液。本发明中，使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。根据本发明的优选方式，可以将压延铜箔表面平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑。
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公开(公告)号：CN104968838A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007128.9
申请日：2014-03-31
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 本发明提供用于蚀刻含有铜和钛的多层膜的液体组合物、和使用该液体组合物蚀刻含有铜和钛的多层膜的方法、使用该蚀刻方法的多层膜配线的制造方法、以及设置有利用该制造方法制造的多层膜配线的基板。本发明中使用的液体组合物包含(A)马来酸根离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氟化物离子供给源，且液体组合物的pH值为0～7。
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公开(公告)号：CN103649373A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032769.0
申请日：2012-06-28
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
CPC分类号： C23F1/18 , C09K13/04 , C23F1/16 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H05K3/067 , H05K2201/0338
摘要： 本发明涉及铜或以铜为主要成分的化合物的蚀刻液、以及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液的特征在于含有(A)马来酸根离子供给源、和(B)铜离子供给源。
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公开(公告)号：CN102985596A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180030089.0
申请日：2011-05-27
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F1/14
摘要： 提供一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液、以及使用其的包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液，其中配混有(A)分子内具有两个以上羧基、且具有一个以上羟基的有机酸离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氨和/或铵离子供给源，所述蚀刻液的pH为5~8；以及使用其的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN118251516A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280076110.9
申请日：2022-11-15
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 一种水性组合物；以及使用其的铜箔的粗糙化方法、和粗糙化铜箔的制造方法、以及粗糙化铜箔、使用其的柔性印刷电路板，该水性组合物用于对压延铜箔的表面进行粗糙化，含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、以及唑化合物(C)和/或其盐，前述水性组合物中的过氧化氢(A)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.1～5质量％，前述水性组合物中的硫酸(B)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.5～15质量％，前述水性组合物中的唑化合物(C)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.01～0.3质量％，前述水性组合物中的过氧化氢(A)与硫酸(B)的摩尔比以过氧化氢/硫酸的比表示为0.1～1.0的范围，前述唑化合物(C)为选自由苯并三唑化合物和四唑化合物组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN115836143A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180040575.4
申请日：2021-06-01
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 本发明涉及一种用于适当地去除存在于铜或铜合金的表面的自然氧化膜、有机物的处理液。本发明提供一种化学研磨液，其为用于铜或铜合金的表面处理的化学研磨液，其包含：(A)以前述化学研磨液的总量基准计为0.1～3.5质量％的过氧化氢；(B)以前述化学研磨液的总量基准计为1～20质量％的选自由硫酸和硝酸组成的组中的1种以上；(C)作为按照氟原子换算的含量以前述化学研磨液的总量基准计为0.05～0.8质量％的氟化物；(D)以前述化学研磨液的总量基准计为0.01～1质量％的选自由邻氨基苯甲酸、环己胺、环己醇和1,5‑戊二醇组成的组中的1种以上；(E)以前述化学研磨液的总量基准计为0.0005～0.005质量％的氟系表面活性剂；和(F)水。
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公开(公告)号：CN112055759B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201980026980.3
申请日：2019-04-22
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。
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公开(公告)号：CN105981136B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201580005638.7
申请日：2015-01-23
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09K13/08 , C11D1/22 , C11D1/29 , C11D1/34 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D1/75 , C11D1/90 , C11D1/92 , C11D3/04 , C11D3/24 , C11D3/39 , C23F11/04 , H01L21/308
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/006 , C11D1/29 , C11D1/345 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/061 , C23G1/106 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要： 根据本发明，可以提供如下液体组合物：其用于从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，前述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐等组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含选自前述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺等组成的C2化合物组中的1种以上，前述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，前述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。
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公开(公告)号：CN105121705B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480022520.0
申请日：2014-04-09
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F1/14 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/47635 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H05K3/067 , H05K2201/0338
摘要： 本发明提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物和包含铜和钼的多层膜的蚀刻的蚀刻方法、以及基板。本发明中使用如下液体组合物，其包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；以及(C)胺化合物，其为选自由1‑氨基‑2‑丙醇、2‑(甲基氨基)乙醇、2‑(乙基氨基)乙醇、2‑(丁基氨基)乙醇、2‑(二甲基氨基)乙醇、2‑(二乙基氨基)乙醇、2‑甲氧基乙基胺、3‑甲氧基丙基胺、3‑氨基‑1‑丙醇、2‑氨基‑2‑甲基‑1‑丙醇、1‑二甲基氨基‑2‑丙醇、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4‑(2‑羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，且所述液体组合物的pH值为4～9。
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公开(公告)号：CN105359257A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480033266.4
申请日：2014-06-12
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
CPC分类号： C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/02071 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供从由铟、镓、锌以及氧组成的氧化物(IGZO)的表面清洗和去除含铜附着物而不腐蚀IGZO半导体层、含铜布线的液体组合物，以及使用了该液体组合物的IGZO表面的清洗方法以及利用该清洗方法而清洗的基板。本发明中使用包含选自由羟基羧酸和二羧酸、或它们的盐组成的组中的一种以上且pH值为1.5～10的液体组合物。
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