公开(公告)号：CN112055759B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201980026980.3

申请日：2019-04-22

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 瀬户一彰 ,  玉井聪 ,  松永裕嗣

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06

摘要： 本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。

公开(公告)号：CN112055759A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201980026980.3

申请日：2019-04-22

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 瀬户一彰 ,  玉井聪 ,  松永裕嗣

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06

摘要： 本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。

公开(公告)号：CN118202306A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280069799.2

申请日：2022-11-07

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 瀬户一彰 ,  玉井聪

IPC分类号： G03F7/42 ,  H05K3/06 ,  H05K3/18

摘要： 本发明提供能将抗蚀剂迅速地去除的印刷电路板的制造方法等。本发明提供一种印刷电路板的制造方法，其包括：前处理工序，使具有金属布线及配置在前述金属布线间的抗蚀剂的基板接触包含氧化剂(a)、含氮原子的螯合剂(b)、及水且pH为3～10的抗蚀剂剥离前处理液(A)；及抗蚀剂去除工序，使前述前处理工序得到的基板接触包含碱性化合物(α)、有机溶剂(β)、及水的抗蚀剂剥离液(B)而去除前述抗蚀剂。