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公开(公告)号：CN114207529A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054482.2
申请日：2020-07-29
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
摘要： 本发明提供：除铜布线外、还可对镀锡及镀锡合金进行防腐，并且可以从印刷电路板或半导体晶圆上将光致抗蚀剂去除的水性组合物及使用其的光致抗蚀剂的去除方法。本发明的水性组合物的特征在于，其包含烷醇胺(A)、氢氧化季铵(B)、糖醇(C)、极性有机溶剂(D)及水(E)，以组合物的总量基准计，烷醇胺(A)的含量为2.5～50质量％，氢氧化季铵(B)的含量为0.5～4质量％，糖醇(C)的含量为0.5～20质量％。
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公开(公告)号：CN114174557A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054240.3
申请日：2020-07-22
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F1/28
摘要： 提供：能够充分地、且以较少的工序使不锈钢的表面高效地粗糙化的组合物、不锈钢的粗糙化处理方法等。上述的课题通过用于对不锈钢的表面进行粗糙化的组合物解决，该组合物中，以前述组合物的总量基准计，包含0.1～25质量％的选自由过硫酸及过硫酸盐组成的组中的1种以上，且以前述组合物的总量基准计，包含1～30质量％的卤化物离子。
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公开(公告)号：CN113906161A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080036980.4
申请日：2020-06-03
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F1/28
摘要： 提供充分且利用少的工序有效地将不锈钢的表面进行粗糙化的水性组合物、不锈钢的粗糙化处理方法等。上述问题通过一种水性组合物解决，该水性组合物用于将不锈钢的表面进行粗糙化，其按前述水性组合物的总量基准计含有0.1～20质量％的过氧化氢、按前述水性组合物的总量基准计含有0.25～40质量％的铜离子、按前述水性组合物的总量基准计含有1～30质量％的卤化物离子。
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公开(公告)号：CN112585299A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054658.1
申请日：2019-09-02
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F3/03
摘要： 提供一种化学研磨液，其为用于铝或铝合金的化学研磨液，其含有过氧化氢(A)、氟化合物(B)、不属于前述氟化合物(B)的无机酸(C)、和含羟基的烃化合物(D)，前述过氧化氢(A)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为2～20质量％，前述氟化合物(B)的以氟原子换算计的含量按前述化学研磨液的总量基准计为3～17质量％，前述无机酸(C)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为20～55质量％，前述含羟基的烃化合物(D)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为2～15质量％。
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公开(公告)号：CN103098181B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180043435.9
申请日：2011-07-14
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/0206 , B81C1/00825
摘要： 本发明提供用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。另外，本发明提供使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN103119693A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180040397.1
申请日：2011-07-26
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/28 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/401 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02068 , H01L21/28079 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/66545
摘要： 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101755324B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200880100170.X
申请日：2008-07-03
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/34 , C23G1/04 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC分类号： C23G1/103 , C11D3/0073 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/06 , H01L21/02063 , H01L21/02068
摘要： 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。
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公开(公告)号：CN118251516A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280076110.9
申请日：2022-11-15
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 一种水性组合物；以及使用其的铜箔的粗糙化方法、和粗糙化铜箔的制造方法、以及粗糙化铜箔、使用其的柔性印刷电路板，该水性组合物用于对压延铜箔的表面进行粗糙化，含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、以及唑化合物(C)和/或其盐，前述水性组合物中的过氧化氢(A)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.1～5质量％，前述水性组合物中的硫酸(B)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.5～15质量％，前述水性组合物中的唑化合物(C)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.01～0.3质量％，前述水性组合物中的过氧化氢(A)与硫酸(B)的摩尔比以过氧化氢/硫酸的比表示为0.1～1.0的范围，前述唑化合物(C)为选自由苯并三唑化合物和四唑化合物组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN112585299B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980054658.1
申请日：2019-09-02
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C23F3/03
摘要： 提供一种化学研磨液，其为用于铝或铝合金的化学研磨液，其含有过氧化氢(A)、氟化合物(B)、不属于前述氟化合物(B)的无机酸(C)、和含羟基的烃化合物(D)，前述过氧化氢(A)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为2～20质量％，前述氟化合物(B)的以氟原子换算计的含量按前述化学研磨液的总量基准计为3～17质量％，前述无机酸(C)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为20～55质量％，前述含羟基的烃化合物(D)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为2～15质量％。
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公开(公告)号：CN115836143A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180040575.4
申请日：2021-06-01
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 本发明涉及一种用于适当地去除存在于铜或铜合金的表面的自然氧化膜、有机物的处理液。本发明提供一种化学研磨液，其为用于铜或铜合金的表面处理的化学研磨液，其包含：(A)以前述化学研磨液的总量基准计为0.1～3.5质量％的过氧化氢；(B)以前述化学研磨液的总量基准计为1～20质量％的选自由硫酸和硝酸组成的组中的1种以上；(C)作为按照氟原子换算的含量以前述化学研磨液的总量基准计为0.05～0.8质量％的氟化物；(D)以前述化学研磨液的总量基准计为0.01～1质量％的选自由邻氨基苯甲酸、环己胺、环己醇和1,5‑戊二醇组成的组中的1种以上；(E)以前述化学研磨液的总量基准计为0.0005～0.005质量％的氟系表面活性剂；和(F)水。
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