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公开(公告)号:CN108104680A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711370454.8
申请日:2017-12-19
申请人: 福建奋安智能门窗系统有限公司
IPC分类号: E06B3/66 , E06B3/663 , E06B7/16 , E06B5/16 , E06B5/20 , C08L1/00 , C08K3/34 , C08K3/16 , C08J9/08 , B05D7/14 , B05D1/18 , C23F1/14
CPC分类号: E06B3/66 , B05D1/18 , B05D7/14 , B05D2202/45 , C08J9/08 , C08J2203/02 , C08J2301/00 , C08J2401/00 , C08K3/16 , C08K3/34 , C08K3/346 , C08K2003/162 , C23F1/14 , E06B3/663 , E06B3/66352 , E06B3/66357 , E06B5/164 , E06B5/205 , E06B7/16 , C08L1/00
摘要: 本发明涉及一种基于双层密封结构的组合窗,包括多个双层玻璃窗体,双层玻璃窗体包括两块并列的玻璃、窗框,窗框包括四个首尾相连成框状的密封边。所述密封边包括矩形管状外壳、封底板、横隔板、竖隔板、支撑板、与玻璃侧边相配合的U形密封条,玻璃和外壳之间还设有第一密封结构,玻璃和竖隔板之间还设有第二密封结构。该基于双层密封结构的组合窗的密封、隔热和隔音性能好,密封结构的耐老化性能强,使用寿命长。通过玻璃胶密封层、密封条与第一密封结构和第二密封结构的协同配合,使得双层玻璃窗体的密封性显著提高,还使得该双层玻璃窗体的密封结构的使用寿命显著提高的优点。
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公开(公告)号:CN107699894A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710930893.3
申请日:2017-10-09
申请人: 山西沃特海默新材料科技股份有限公司
摘要: 本发明一种微孔电池铝箔的化学腐蚀制备方法,属于电池铝箔的制备技术领域,本发明克服现有技术的不足,目的是提供一种高性能锂电池微孔铝箔的化学腐蚀制备方法,采用的技术方案为:按照下述步骤进行:第一步,对轧制后的电池铝箔进行表面清洗祛除润滑剂;第二步,将清洗后的电池铝箔全部浸入化学腐蚀液:所述的化学腐蚀液为盐溶液,含有摩尔浓度为0.1-3mol/L的Cl-的阴离子,含有摩尔浓度为0.1-3mol/L的Fe3+和Cu2+的阳离子,腐蚀时间为20-120S;第三步,腐蚀后的电池铝箔清洗表面残留液体;第四步,烘干,本发明可广泛应用到锂电池微孔铝箔的制造领域。
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公开(公告)号:CN107406964A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680013004.0
申请日:2016-03-22
申请人: 凸版印刷株式会社
CPC分类号: C23C14/042 , C23C14/024 , C23C14/028 , C23C14/085 , C23C14/12 , C23C14/225 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/44 , G01N21/55 , G03F7/0002 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/5271
摘要: 本发明涉及金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法。金属掩模基材具备构成为配置有抗蚀剂的金属制的表面,入射到表面的光的镜面反射的反射率为45.2%以上。
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公开(公告)号:CN105810850B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201610206129.7
申请日:2013-01-11
申请人: 大日本印刷株式会社
CPC分类号: H01L51/0011 , B05B12/20 , C23C14/042 , C23C16/042 , C23F1/02 , C23F1/12 , C23F1/14 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5221 , H01L51/56
摘要: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模,即:准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板;相对于所述带树脂层的金属板的金属板,通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模;然后,从所述金属掩模侧照射激光,在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部,从而形成树脂掩模。
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公开(公告)号:CN107256792A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201710427657.X
申请日:2017-06-08
申请人: 安泰科技股份有限公司
CPC分类号: H01F41/0226 , C23F1/14 , H01F1/15333
摘要: 本发明公开了一种铁基纳米晶电感磁芯的制造方法,依次包括:卷绕步骤、热处理步骤、固化步骤、切割步骤、表面预处理步骤、防护处理步骤、腐蚀处理步骤以及清洗步骤,其中,在所述腐蚀处理步骤中,采用腐蚀溶液对所述防护处理后得到的磁芯坯体的切割面进行腐蚀处理,所述腐蚀溶液的溶质为三氯化铁、硝酸铁、硝酸铜、氯化铜中的一种或多种。本发明所述的改善磁芯电感的方法,工艺流程简单,操作方便,能实现批量化生产,可有效降低工人劳动强度,提高生产效率。
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公开(公告)号:CN106884167A
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201510937359.6
申请日:2015-12-15
申请人: 上海飞凯光电材料股份有限公司
IPC分类号: C23F1/14
CPC分类号: C23F1/14
摘要: 本发明公开了一种双氧水稳定剂及双氧水蚀刻液,属于金属蚀刻领域。该双氧水稳定剂中同时含有醇羟基和醚键,且该双氧水稳定剂中碳原子的个数为3-12。本发明提供的具有如上结构双氧水稳定剂,将其用于双氧水体系的金属蚀刻液中时,其能够明显抑制过氧化氢的分解,且利用含该双氧水稳定剂的蚀刻液进行蚀刻,蚀刻后的金属材料表面不会残留金属,利于提高蚀刻的均一性。可见,本发明实施例提供的双氧水稳定剂不仅能提高双氧水体系蚀刻液的使用稳定性和保质期,且利于保证双氧水体系蚀刻液的蚀刻效果。
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公开(公告)号:CN106544721A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610822562.3
申请日:2016-09-14
申请人: 通用电气公司
发明人: S.A.戈德
IPC分类号: C25F3/16
CPC分类号: C23F1/14 , B08B7/0021 , B08B9/027 , B08B9/0321 , C25F3/16
摘要: 本发明涉及用于处理内部通道的超临界水方法。具体而言,一种降低工件(W)的内部通道(P)中的表面粗糙度的方法包括将内部通道(P)与包括处于或接近超临界条件的水的腐蚀性工作流体(F)接触。
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公开(公告)号:CN105603425A
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201610046399.6
申请日:2016-01-25
申请人: 熙腾电子科技(上海)有限公司
发明人: 江月华
摘要: 本发明公开了一种铜选择性蚀刻液,其由铜氧化液和铜螯合液组成,所述铜氧化液包括氧化剂和/或水,所述铜螯合液包括草酸盐、氨基羧酸和水,所述铜选择性蚀刻液pH值为6.0~8.5。所述铜选择性蚀刻液可对铜进行选择性和均匀性地蚀刻。本发明还公开了一种钛选择性蚀刻液,其由钛氧化液和钛螯合液组成,所述钛氧化液包括过氧化氢和/或水,所述钛螯合液包括亚磷酸螯合剂、铜防腐蚀剂、无机碱和水,所述钛选择性蚀刻液pH值为7~10。所述钛选择性蚀刻液可对钛进行选择性和均匀性地蚀刻。在无铅焊料凸块的制作过程中使用所述铜选择性蚀刻液和钛选择性蚀刻液进行蚀刻可在半导体基板上方便快捷地制造出尺寸重现性好的无铅焊料凸块。
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公开(公告)号:CN103025896B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201180031527.5
申请日:2011-06-03
申请人: 新日铁住金株式会社
CPC分类号: C21D8/1294 , C21D6/008 , C21D8/12 , C21D8/1255 , C21D9/46 , C21D2201/05 , C21D2221/00 , C22C1/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , C25F3/06 , H01F1/14783 , H01F1/16
摘要: 在通过蚀刻来加工槽时,在冷轧钢板上形成抗蚀膜。此时,在抗蚀膜上形成露出钢板的一部分的钢板露出部,钢板露出部具有朝向板宽方向的第1区域和以所述第1区域为起点的多个第2区域,形成第1区域及第2区域的宽度为20μm~100μm、从第2区域的端部到相邻的第2区域的端部的距离为60μm~570μm的抗蚀膜。
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公开(公告)号:CN105568217A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201610007307.3
申请日:2016-01-06
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
发明人: 白珊珊
CPC分类号: C23C14/042 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23F1/14
摘要: 本公开的实施例提供了一种金属掩模板及其制作方法,该金属掩模板具有相反的第一主表面和第二主表面,并包括间隔设置的多个面板限定区域以及主边框部分,在每个面板限定区域中,用于限定像素结构的多个通孔成矩阵排列,每个通孔连通金属掩模板的第一主表面和第二主表面,每相邻两个通孔的侧壁在金属掩模板的第二主表面彼此直接连接使得面板限定区域中的相邻两个通孔之间的金属掩模板具有厚度D1,该金属掩模板的主边框部分具有第二厚度D2,且第一厚度D1和第二厚度D2满足|D1-D2|/D1≤20%。
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