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公开(公告)号：CN120019480A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071927.1
申请日：2023-11-13
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/316 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C26/00 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供一种修饰基板的制造方法及与上述修饰基板的制造方法相关的半导体器件的制造方法，该修饰基板的制造方法能够通过进行ALD处理来制造在规定的区域选择性良好地形成有ALD覆膜的修饰基板。本发明的修饰基板的制造方法包括：工序1，使基板与药液接触，在上述基板的第1表面上形成第1覆膜，上述基板具有由彼此不同的材料构成的上述第1表面及第2表面的至少2个表面，上述药液包含具有键合或吸附于上述第1表面的官能团及交联性基团且分子量为500以下的化合物、以及溶剂；及工序2，对在上述工序1中所获得的基板实施原子层沉积处理，在上述第2表面上形成第2覆膜。
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公开(公告)号：CN119404296A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048102.8
申请日：2023-06-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D17/08
Abstract: 本发明的课题为提供一种在与含有选自Cu及Co中的至少1种金属的被对象物接触时对于上述金属的防腐蚀性优异并且对于被处理物表面的有机残渣的清洗性也优异的半导体处理液、以及被处理物的处理方法及电子装置的制造方法。本发明的处理液含有嘌呤化合物及胺化合物，嘌呤化合物包含选自嘌呤及嘌呤衍生物中的至少1种，胺化合物包含1种胺化合物A和与胺化合物A不同的1种或2种以上的胺化合物B这样的至少2种，胺化合物A为叔胺化合物，嘌呤化合物的含量相对于胺化合物的含量的质量比为0.0001～0.1。
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公开(公告)号：CN118931673A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411009157.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
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公开(公告)号：CN114341328A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080060051.7
申请日：2020-07-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种有机物残渣的去除性能的经时稳定性优异且对金属层的耐腐蚀性也优异的半导体器件用清洗剂组合物。本发明的清洗剂组合物是半导体器件用清洗剂组合物，其包含：选自羟胺及羟胺盐中的一种以上的羟胺化合物；选自除聚氨基羧酸以外的羧酸系螯合剂及膦酸系螯合剂中的一种以上的螯合剂；及苯并三唑化合物。
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公开(公告)号：CN104152297B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201410424866.5
申请日：2011-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105745739B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480062820.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/32 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。
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公开(公告)号：CN118931672A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411009130.1
申请日：2020-08-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
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公开(公告)号：CN107022421B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201610815832.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN104781914B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201380059067.6
申请日：2013-11-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，在基板的第1层应用含有氢氟酸化合物及氧化剂的蚀刻液而去除第1层。本发明还提供蚀刻液及半导体元件的制造方法。根据本发明的蚀刻方法，可在对含有TiN的第1层进行蚀刻时，实现该TiN层在蚀刻后的表面均匀化，以及金属层(第2层)在蚀刻后的表面均匀化。
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公开(公告)号：CN107022421A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610815832.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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