公开(公告)号：CN101230238A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810004625.X

申请日：2008-01-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 富贺敬充 ,  加藤知夫

IPC: C09G1/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种金属抛光液和使用该金属抛光液的抛光方法，该金属抛光液在半导体器件生产过程中用于由铜或铜合金制成的导体膜的化学机械抛光，其中所述金属抛光液包含下列组分(1)、(2)和(3)：(1)由下式(I)表示的氨基酸衍生物，其中，在式(I)中，R1表示含有1至4个碳原子的烷基；(2)在其表面上的硅原子至少部分被铝原子改性的胶体二氧化硅；和(3)氧化剂。

公开(公告)号：CN1939995A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139615.8

申请日：2006-09-26

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 加藤知夫

IPC: C09G1/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 提供一种水性抛光液，其包括氧化剂，含有至少3个氮原子的五元单环化合物或其中杂环与所述化合物稠合的化合物，和具有咪唑骨架或异噻唑啉－3－酮骨架的化合物。将含有至少3个氮原子的五元单环化合物和/或其中杂环与所述化合物稠合的化合物以小于300mg/L的总浓度使用，并且将具有咪唑骨架或异噻唑啉－3－酮骨架的化合物以至少10mg/L但不大于500mg/L的浓度使用。还提供一种化学机械抛光方法，该方法包括在水性抛光液的存在下，通过使被抛光表面和抛光表面在相互接触的同时相对移动而抛光的步骤。

公开(公告)号：CN102031204A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297139.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥智威 ,  高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  关裕之 ,  伏见英生 ,  加藤知夫

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D7/26 ,  B08B3/08 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/425 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101240146A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810005807.9

申请日：2008-02-05

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 加藤知夫 ,  富贺敬充 ,  菊池信 ,  高宫寿美

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/18 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明提供一种用于半导体器件化学机械抛光的金属抛光组合物，所述金属抛光组合物包括：(a)由下式A表示的化合物、(b)由下式B表示的化合物、(c)磨料粒和(d)氧化剂，其中在式A中，R1表示含1至3个碳原子的烷基；而R2表示氢原子或含1至4个碳原子的烷基，并且在式B中，R3、R4和R5各自独立地表示氢原子，或烷基、芳基、烷氧基、氨基、氨基烷基、羟基、羟烷基、羧基、羧烷基或氨基甲酰基。

公开(公告)号：CN107022421B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201610815832.8

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥智威 ,  高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  关裕之 ,  伏见英生 ,  加藤知夫

IPC: C11D1/835 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D3/28 ,  C11D3/60 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN107022421A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610815832.8

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥智威 ,  高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  关裕之 ,  伏见英生 ,  加藤知夫

IPC: C11D1/835 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D3/28 ,  C11D3/60 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1939995B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200610139615.8

申请日：2006-09-26

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 加藤知夫

IPC: C09G1/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 提供一种水性抛光液，其包括氧化剂，含有至少3个氮原子的五元单环化合物或其中杂环与所述化合物稠合的化合物，和具有咪唑骨架或异噻唑啉-3-酮骨架的化合物。将含有至少3个氮原子的五元单环化合物和/或其中杂环与所述化合物稠合的化合物以小于300mg/L的总浓度使用，并且将具有咪唑骨架或异噻唑啉-3-酮骨架的化合物以至少10mg/L但不大于500mg/L的浓度使用。还提供一种化学机械抛光方法，该方法包括在水性抛光液的存在下，通过使被抛光表面和抛光表面在相互接触的同时相对移动而抛光的步骤。