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公开(公告)号：CN1316314C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN01141874.5
申请日：2001-09-21
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 菊池信
IPC: G03C1/035
CPC classification number: G03C1/035 , G03C1/0051 , G03C2001/0055 , G03C2001/0056 , G03C2001/03564 , G03C2001/0357 , G03C2200/03
Abstract: 一种含有卤化银粒子的卤化银照相乳剂。卤化银照相乳剂的所有卤化银粒子的等价圆直径分布的变异系数为3%～40%。该卤化银照相乳剂含有满足下列要求(i)-(iv)的平片状粒子，所述平片状粒子占卤化银粒子总投影面积的50%或50%以上：(i)溴碘化银或溴氯碘化银平片状粒子具有作为主平面的(111)面，(ii)等价圆直径为1.0μm或1.0μm以上，厚度为0.10μm或0.10μm以下，(iii)在粒子的边缘部分每个粒子存在10条或10条以上的位错线，和(iv)当从垂直于(111)主平面的方向观察粒子时，其具有六角形或三角形的形状，其边缘和/或拐角是部分基本上空的。
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公开(公告)号：CN1347007A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01141874.5
申请日：2001-09-21
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 菊池信
IPC: G03C1/035
CPC classification number: G03C1/035 , G03C1/0051 , G03C2001/0055 , G03C2001/0056 , G03C2001/03564 , G03C2001/0357 , G03C2200/03
Abstract: 一种含有卤化银粒子的卤化银照相乳剂。卤化银照相乳剂的所有卤化银粒子的等价圆直径分布的变异系数为3%～40%。该卤化银照相乳剂含有满足下列要求(i)－(iv)的平片状粒子,所述平片状粒子占卤化银粒子总投影面积的50%或50%以上:(i)溴碘化银或溴氯碘化银平片状粒子具有作为主平面的(111)面,(ii)等价圆直径为1.0μm或1.0μm以上,厚度为0.10μm或0.10μm以下,(iii)在粒子的边缘部分每个粒子存在10条或10条以上的位错线,和(iv)当从垂直于(111)主平面的方向观察粒子时,其具有六角形或三角形的形状,其边缘和/或拐角是部分基本上空的。
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公开(公告)号：CN102365752A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013815.3
申请日：2010-03-23
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C18/1266 , C23C26/00 , C23C28/048 , C23C30/00 , C25D11/04 , C25D11/18 , H01L31/0749 , H01L31/1852 , Y02E10/541 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换半导体层，所述光电转换半导体层能够在厚度方向提供势能梯度，可以以比通过真空成膜形成层的成本更低的成本被制备，并且能够提供高光电转换效率。光电转换层(30X)通过吸收光产生电流，并且由其中在平面和厚度方向上设置多个粒子(31)的粒子层形成。光电转换层(30X)包含具有不同带隙的多种粒子作为多个粒子(31)，并且该层的势能在厚度方向上分布。
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公开(公告)号：CN1329776C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN00136222.4
申请日：2000-12-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包含颗粒的卤化银照相乳剂，其中所有颗粒的等圆直径的分布变化系数为40%或更低，而且所有颗粒数量中的50%或更高都满足以下条件：碘溴化银或溴氯碘化银片状颗粒具有(111)面作为主表面；等圆直径为3.5μm或更高，而厚度为0.25μm或更低；以及片状颗粒的孪晶面之间的距离为0.016μm或更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102362358A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013446.8
申请日：2010-03-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/035218 , H01L31/03928 , H01L31/0463 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明以低成本提供具有高光电转换效率的光电转换半导体层。光电转换半导体层(30X)通过吸收光产生电流，并且由其中多个片状粒子(31)仅在平面方向上设置的粒子层或其烧结体形成，或者由其中多个片状粒子(31)在平面方向和厚度方向上设置的粒子层或其烧结体形成。
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公开(公告)号：CN1331432A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN00136222.4
申请日：2000-12-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包含颗粒的卤化银照相乳剂,其中所有颗粒的等圆直径的分布变化系数为40%或更低,而且所有颗粒数量中的50%或更高都满足以下条件:碘溴化银或溴氯碘化银片状颗粒具有(111)面作为主表面;等圆直径为3.5μm或更高,而厚度为0.25μm或更低;以及片状颗粒的孪晶面之间的距离为0.016μm或更低。
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公开(公告)号：CN101275057B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810087355.3
申请日：2008-03-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种金属抛光液，其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光，所述金属抛光液包含：(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性剂，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4个碳原子的烷基，并且R2表示含1至4个碳原子的亚烷基。
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公开(公告)号：CN101275057A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087355.3
申请日：2008-03-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种金属抛光液，其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光，所述金属抛光液包含：(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性剂，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4个碳原子的烷基，并且R2表示含1至4个碳原子的亚烷基。
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公开(公告)号：CN101240146A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810005807.9
申请日：2008-02-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04
Abstract: 本发明提供一种用于半导体器件化学机械抛光的金属抛光组合物，所述金属抛光组合物包括：(a)由下式A表示的化合物、(b)由下式B表示的化合物、(c)磨料粒和(d)氧化剂，其中在式A中，R1表示含1至3个碳原子的烷基；而R2表示氢原子或含1至4个碳原子的烷基，并且在式B中，R3、R4和R5各自独立地表示氢原子，或烷基、芳基、烷氧基、氨基、氨基烷基、羟基、羟烷基、羧基、羧烷基或氨基甲酰基。
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