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公开(公告)号：CN120019480A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071927.1
申请日：2023-11-13
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/316 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C26/00 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供一种修饰基板的制造方法及与上述修饰基板的制造方法相关的半导体器件的制造方法，该修饰基板的制造方法能够通过进行ALD处理来制造在规定的区域选择性良好地形成有ALD覆膜的修饰基板。本发明的修饰基板的制造方法包括：工序1，使基板与药液接触，在上述基板的第1表面上形成第1覆膜，上述基板具有由彼此不同的材料构成的上述第1表面及第2表面的至少2个表面，上述药液包含具有键合或吸附于上述第1表面的官能团及交联性基团且分子量为500以下的化合物、以及溶剂；及工序2，对在上述工序1中所获得的基板实施原子层沉积处理，在上述第2表面上形成第2覆膜。
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公开(公告)号：CN115291434A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211006169.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00 , B32B27/36 , B32B27/18 , B32B27/08
Abstract: 本发明的一方式涉及一种背光单元、液晶显示装置及波长转换部件，所述背光单元包括：光源，射出发光中心波长λnm的光；及波长转换部件，位于从光源射出的光的光路上，波长转换部件包括：波长转换层，包含被激发光激发并发出荧光的荧光体；及光散射层，在基体中包含颗粒大小为0.1μm以上的颗粒，波长转换层的平均折射率n1与光散射层的基体的平均折射率n2之间满足n1＜n2的关系，且光散射层在波长λnm中的吸光率为8.0％以下。
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公开(公告)号：CN106716236A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580053006.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02B5/02 , B32B7/02 , H01L33/50
CPC classification number: G02B6/005 , B32B7/04 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/36 , B32B2250/02 , B32B2250/244 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2255/24 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2264/0235 , B32B2264/025 , B32B2264/0257 , B32B2264/0264 , B32B2264/0292 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/422 , B32B2307/536 , B32B2307/558 , B32B2307/708 , B32B2307/724 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/732 , B32B2457/202 , G02B6/0065
Abstract: 本发明的一方式涉及一种背光单元、液晶显示装置及波长转换部件，所述背光单元包括：光源，射出发光中心波长λnm的光；及波长转换部件，位于从光源射出的光的光路上，波长转换部件包括：波长转换层，包含被激发光激发并发出荧光的荧光体；及光散射层，在基体中包含颗粒大小为0.1μm以上的颗粒，波长转换层的平均折射率n1与光散射层的基体的平均折射率n2之间满足n1＜n2的关系，且光散射层在波长λnm中的吸光率为8.0％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106716236B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201580053006.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02B5/02 , B32B7/02 , H01L33/50
CPC classification number: G02B6/005 , B32B7/04 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/36 , B32B2250/02 , B32B2250/244 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2255/24 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2264/0235 , B32B2264/025 , B32B2264/0257 , B32B2264/0264 , B32B2264/0292 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/422 , B32B2307/536 , B32B2307/558 , B32B2307/708 , B32B2307/724 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/732 , B32B2457/202 , G02B6/0065
Abstract: 本发明的一方式涉及一种背光单元、液晶显示装置及波长转换部件，所述背光单元包括：光源，射出发光中心波长λnm的光；及波长转换部件，位于从光源射出的光的光路上，波长转换部件包括：波长转换层，包含被激发光激发并发出荧光的荧光体；及光散射层，在基体中包含颗粒大小为0.1μm以上的颗粒，波长转换层的平均折射率n1与光散射层的基体的平均折射率n2之间满足n1＜n2的关系，且光散射层在波长λnm中的吸光率为8.0％以下。
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公开(公告)号：CN106716188B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580052329.5
申请日：2015-09-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B5/20 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种波长转换部件，其具有包含通过激发光照射而发出荧光的量子点的波长转换层，且光损失较少。并提供高亮度的背光单元及液晶显示装置。本发明的波长转换部件(1D)具有包含由激发光(LB)激发而发出荧光(LR、LG)的量子点(30A、30B)的波长转换层(30)，波长转换层(30)至少在一面具备基材薄膜(11、21)而成，基材薄膜(11、21)的使用积分球来测定的波长450nm的光的吸收率小于0.9％，且总透光率小于92％。
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公开(公告)号：CN119768898A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061157.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/312 , B05D7/00 , B05D7/24 , C23C16/40 , C23C26/00 , H01L21/304 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种能够形成可抑制基于ALD处理的材料的沉积的被膜的药液。本发明的药液为半导体的制造中所使用的药液，其含有甲硅烷化剂、非质子性溶剂及醇，醇的含量相对于药液的总质量为5～200质量ppm。
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公开(公告)号：CN115268141A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211005787.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的一方式涉及一种背光单元、液晶显示装置及波长转换部件，所述背光单元包括：光源，射出发光中心波长λnm的光；及波长转换部件，位于从光源射出的光的光路上，波长转换部件包括：波长转换层，包含被激发光激发并发出荧光的荧光体；及光散射层，在基体中包含颗粒大小为0.1μm以上的颗粒，波长转换层的平均折射率n1与光散射层的基体的平均折射率n2之间满足n1＜n2的关系，且光散射层在波长λnm中的吸光率为8.0％以下。
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公开(公告)号：CN106716188A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052329.5
申请日：2015-09-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B5/20 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种波长转换部件，其具有包含通过激发光照射而发出荧光的量子点的波长转换层，且光损失较少。并提供高亮度的背光单元及液晶显示装置。本发明的波长转换部件(1D)具有包含由激发光(LB)激发而发出荧光(LR、LG)的量子点(30A、30B)的波长转换层(30)，波长转换层(30)至少在一面具备基材薄膜(11、21)而成，基材薄膜(11、21)的使用积分球来测定的波长450nm的光的吸收率小于0.9％，且总透光率小于92％。
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