公开(公告)号：CN104737277B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380054473.3

申请日：2013-10-11

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 上村哲也 ,  朴起永 ,  室祐継 ,  稲叶正

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306

CPC分类号： C09K13/08 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

摘要： 本发明提供一种蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。本发明的蚀刻液对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。根据本发明的蚀刻液及蚀刻方法、使用其的半导体元件的制造方法，可相对于包含特定金属的第2层，而选择性且有效地除去包含TiN的第1层。另外，根据本发明，根据需要可防止点缺陷的产生，并且可实现蚀刻时的良好的面内均匀性。

公开(公告)号：CN104737277A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054473.3

申请日：2013-10-11

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 上村哲也 ,  朴起永 ,  室祐継 ,  稲叶正

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306

CPC分类号： C09K13/08 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

摘要： 本发明提供一种蚀刻液，其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。

公开(公告)号：CN104428876A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036459.0

申请日：2013-07-17

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 室祐继 ,  上村哲也 ,  稻叶正 ,  渡边敬宏 ,  朴起永

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/30608 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

摘要： 一种蚀刻方法，所述方法具有以下步骤：将蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上从而蚀刻所述含TiN层，所述蚀刻液包含水以及其水中的碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，并且所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。