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公开(公告)号：CN119307334A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411833577.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C11D7/60 , C11D7/26 , C11D7/04 , C11D7/10 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/50 , C11D11/00 , H01L21/67 , B08B3/08
Abstract: 本发明提供一种低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液及其制备方法与应用，所述低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液包括重量配比如下的各组分：羟胺及其衍生物10‑30份；缓蚀剂1‑10份；有机碱20‑50份；螯合剂1‑10份；超纯水10‑20份；有机溶剂10‑30份。本发明还公开了低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液的制备方法，及其在清洗半导体芯片领域的应用。本发明低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液清洗条件温和、操作简单，对芯片腐蚀风险低，性能稳定，使用寿命长，在无需超声波工艺配合清洗的纯浸泡工艺条件下，仍能达到较高的清洗效率。本发明低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液在清洗半导体芯片领域具有良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
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公开(公告)号：CN115926903B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211697225.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 中山市明新环保科技有限公司
Inventor： 王民新
Abstract: 一种稳定型塑料除黄剂，其特征在于，按组合物的质量百分比含有以下组分：48％去离子水、48％双氧水、2％甘油、2％卡波姆。体系通过加入卡波姆，可降低双氧水遇光分解率，从而有效保证了塑料除黄剂的漂白性能；由于双氧水的分解率的降低，所以降低了氧气的产生，避免了用于容纳塑料除黄剂的容器出现鼓包的现象。
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公开(公告)号：CN118198185A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410290970.3
申请日：2024-03-14
Applicant: 江苏新璟宏能源科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , C11D7/06 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/60 , C09K13/02 , B01J31/02 , B01J31/06 , C30B29/06 , C30B33/10
Abstract: 本发明提供一种减少异质结电池篮齿印的方法，在硅片制绒后双氧水作为强氧化剂，对硅片表面的有机污染物和损伤层进行氧化溶解，提高硅片表面的洁净度，双氧水过量时，造成氢氧化钾对硅片的过腐蚀，金字塔成型不佳，表面微粗糙度高，对花篮缝隙遮挡的地方尤为明显，篮齿印比例偏高，因此本申请通过将氢氧化钾和双氧水按照比例配槽，并将体积自补比例稳定在1:2‑1:3，能够使绒面的微粗糙度降低，从而可以大大降低篮齿印比例。通过制绒液中碱和添加剂的设置降低硅片表面张力，提高制绒液的润湿度和流动性，同时打开鼓泡功能，通过制绒温度、时间以及工艺配比使得硅片的表面呈现规则、小尺寸、均匀、密集的金字塔绒面结构，并降低篮齿印比例。
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公开(公告)号：CN117925335A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311784017.6
申请日：2023-12-22
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C11D7/32 , H01L21/02 , H01L21/306 , C11D7/16 , C11D7/26 , C11D7/04 , C11D7/10 , C11D7/60 , B08B3/08
Abstract: 本发明涉及一种半导体氮化钛清洗液，按照重量份计算，包括如下组分：清洗功能剂15‑37份；添加剂1‑6份；pH调节剂5‑12份；氧化剂3‑9份；超纯水60‑90份。本发明还公开了该清洗液的制备方法。本发明采用了全新清洗功能剂和添加剂，利用其复配协同作用，使单晶片表面污染物可被清洗彻底，能够从芯片上完全清洗去除，同时去除氮化钛，且该清洗液不会对芯片造成腐蚀。有机物和阳离子表面活性剂之间可以更好地包裹和吸附在颗粒和晶圆表面，更有效地破坏颗粒和晶圆表面间的范德华力，增强它们之间的静电排斥力，达到更好的颗粒去除效果。
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公开(公告)号：CN117903888A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410055672.6
申请日：2024-01-15
Applicant: 山东核电有限公司 , 西安热工研究院有限公司
IPC: C11D7/08 , G01N27/04 , C11D7/34 , C11D7/12 , C11D7/14 , C11D7/04 , C11D7/26 , C11D7/30 , C11D11/00
Abstract: 本发明提供了一种电极清洗试剂、电极清洗方法和应用，所述电极清洗试剂包括第一试剂、第二试剂和第三试剂；所述第一试剂包括氨基磺酸、甲酰基硫脲和除盐水；所述第二试剂包括碳酸钠、无水偏硅酸钠、苯甲酸钠、氨水和除盐水；所述第三试剂包括三氯乙烷和除盐水。在第一试剂、第二试剂和第三试剂的协同作用下，可有效去除电极表面的油脂、各类金属离子以及铁的氧化物等杂质。
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公开(公告)号：CN108689456B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810731656.9
申请日：2018-07-05
Applicant: 悍高集团股份有限公司
Inventor： 欧锦锋
IPC: C02F1/461 , C02F1/32 , C11D7/02 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/10 , A01N59/00 , A01N59/06 , A01P1/00
Abstract: 本发明提供双触媒净化装置，包括壳体、水触媒装置和光触媒装置；壳体内设有净化腔，水触媒装置和光触媒装置安装在净化腔内，壳体设有连通净化腔的过水通道；水触媒装置包括电极单元，电极单元由若干竖向设置的阳极板和阴极板交替排列构成，阳极板和相邻的阴极板之间形成双触媒催化区，水触媒装置通电后可对双触媒催化区的水体进行电催化；光触媒装置通电后用于对双触媒催化区的水体进行光催化；本发明提供双触媒食品净化设备，应用上述双触媒净化装置。本发明的双触媒食品净化设备，安全性高，清洁效果稳定可靠；节约电能和水资源；便于用户安装使用；本发明的双触媒食品净化设备，能对果蔬产品进行彻底清洁。
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公开(公告)号：CN114210672B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111551324.0
申请日：2021-12-17
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电子级硫酸槽罐车清洗装置及清洗方法，将硫酸槽罐车内装满清洗剂，其主要成分包括水，10‑50%的稀硫酸，80‑98%的浓硫酸，硫酸和双氧水的混合物。一种电子级硫酸槽罐车清洗装置，包括两个对立设置的台架，两个台架之间设有翻转机架，台架上设有转动装置，转动装置转动端设有液压升降装置，液压升降装置与翻转机架两端与液压升降装置连接，翻转机架底部设有折弯的承载板，承载板用于放置硫酸槽罐，硫酸槽罐内部设置有清洗剂，通过台架的转动装置进行转动清洗硫酸槽罐内部。不仅解决槽罐车化学品路跑清洗危险运输问题，同时还能解决静置清洗槽罐车存在死角及需要多次更换清洗剂的问题。
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公开(公告)号：CN116107157B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310395810.0
申请日：2023-04-14
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Inventor： 牟宏山
Abstract: 本发明公开了一种光刻板清洗方法，采用高锰酸钾与浓硝酸作为氧化剂，与去离子水进行配比，将配好的液体和光刻板同时转移到带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，置于烘箱内加热，形成高温高压的环境，对光刻板表面进行清洗，且光刻板表面的有机物以及无机物等残留的污渍能够被高锰酸钾氧化反应形成溶于水的小分子物质，附着在光刻板上的小颗粒等无机物除被硝酸氧化反应外，在高压的蒸汽环境下被剥离，使光刻板的清洗更加彻底。本发明提供了一种的光刻板清洗方法，通过物化结合的清洗环境来提高配置清洗剂的清洗能力，以及通过该清洗环境加速光刻板表面污渍清洁的效果，避免了使用毒性较强的清洗剂，提高了安全性，同时保证清洁的效果更好。
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公开(公告)号：CN115699259A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180036555.X
申请日：2021-05-19
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于图案形成区域的周缘的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及斜面区域上，对使表面处理剂组合物接触而经表面处理的二氧化硅基板的表面，IPA后退角在室温25度下为3°以上、和/或水后退角在室温25度下为40°以上。
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