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公开(公告)号：CN114535601B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210077141.8
申请日：2022-01-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次提出了一种热电粉体作为打印原料在激光选区熔化工艺中免刮平的方法，即将热电粉体与挥发性溶剂按比例混合，制成一定流动性的固液混合物，通过控制该固液混合物的浓度和滴加用量等，待其中的溶剂挥发殆尽后，无需进行刮平处理，直接进行激光选区熔化工艺，所得打印面成形质量良好。该免刮平方法操作简便，原料利用率高，特别是解决了传统3D打印过程中非球形热电颗粒粉体难刮平的问题，极大地拓宽了3D打印的材料范畴。
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公开(公告)号：CN113353897B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010142608.3
申请日：2020-03-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超塑性的Ag2Se纳米超细晶热电材料的制备方法，将Ag、Se粉末原料混和研磨，再和球磨体按一定球料比称量进行湿法球磨，球磨30min即可获得晶粒尺寸在50nm左右的纳米超细晶热电材料。本发明所制备的Ag2Se纳米超细晶热电材料塑性性能优越，室温压缩率超过30％，变形温度为60℃的压缩超塑性性能不低于80％。
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公开(公告)号：CN115968245A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310082965.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种基于锚固效应提高n型Bi2Te3基热电元件金属化连接强度的方法，配置n型Bi2Te3基晶片表面处理剂，成分包括40～50％硫酸(体积)、1～2％硝酸(体积)、余量为水；将洁净的n型Bi2Te3基晶片浸入表面处理剂中进行表面刻蚀；再将经过刻蚀后的n型Bi2Te3基晶片浸入超纯水中进行超声；超声后的n型Bi2Te3基晶片通过电镀或化学镀方式进行金属化连接，镀层金属易与n型Bi2Te3发生锚定效应，其金属化连接强度得到提高；最后进行划片切割，得到较高金属化连接强度的Bi2Te3基热电元件。本发明使得n型Bi2Te3基晶片在电镀前具有较高的表面粗糙度，有利于和镍等镀层金属形成锚固效应，从而获得较高金属化连接强度的Bi2Te3基热电元件，并且对热电元件无任何物理损伤，可以提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN113161473B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110416436.9
申请日：2021-04-19
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种提升p型多晶碲化铋材料性能的方法，将p型多晶Bi2Te3化合物粉体置于非氧气气氛中放置一段时间，驱离粉体表面吸附的氧气，然后再进行放电等离子烧结，从而得到高性能p型多晶Bi2Te3热电材料。本发明通过复原材料在破碎过程中产生的缺陷，避免氧元素与材料反应降低载流子浓度，得到具有较高电导率与热电优值的p型多晶碲化铋材料。
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公开(公告)号：CN112458542B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011239999.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C30B33/10 , C30B33/00 , C30B29/46 , C25D5/00 , C25D5/12 , C25D7/12 , C25D3/48 , C25D3/12 , C23C28/02 , C23C18/36 , H01L35/16 , H01L35/34 , C11D7/10 , C11D7/60 , C09K13/04
Abstract: 本发明公开了一种p型碲化铋基材料的表面处理剂，包括粗化液和除灰液两部分；所述粗化液的组成按体积百分比计包括：5～50％盐酸、5～40％双氧水、5～10％硝酸、余量为水；所述除灰液的组成按体积百分比计包括：5～50％氢氟酸、5～20％盐酸、5～10％硝酸、余量为水。该表面处理剂在使用时，粗化液和除灰液配合使用，洁净的p型碲化铋基晶片先浸入粗化液中，再浸入除灰液中，即可完成预处理，后续直接通过电镀或化学镀方式进行金属化连接。本发明提出的p型碲化铋基材料的表面处理剂及方法，避免了传统喷砂‑电弧喷涂处理较薄p型碲化铋基晶片时，容易导致晶片破损的问题，同时可以减少生产环节，提高成品率及生产效率，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384202B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811452121.4
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种制备具有室温柔性的Ag2Q(Q＝Se,Te)基无机电子材料的方法，它以Ag粉和Se或Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag2Q(Q＝Se,Te)单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag2Q化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材；所得块材在室温下还具有良好的柔性，大的磁电阻及优异的热电性能，可为高性能柔性无机电子材料的制备提供一条全新思路。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的Ag2Q无机电子材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN113649035A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010349462.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B01J27/19 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种磷化钼基多晶块体及其制备方法与应用，所述方法包括：以单质为原料，按MoP1‑y或者Mo1‑xAxP1‑yBy，化学计量比进行称量和混合均匀得到反应物；其中A为Mo晶格位置的掺杂元素，包括Nb、Fe、Co、Ni元素中的一种或多种，B为P晶格位置的掺杂元素，包括S、Se、Te元素中的一种或多种，x和y为掺杂元素的含量，x＝0～0.06，y＝0～0.07；然后在真空条件或惰性条件下经固相反应得到多晶粉状产物，再经加压烧结即得。本发明从单质原料出发经固相反应和加压烧结两步直接制备，无副产物，设备和流程简单、环保、成本低，可直接用作电催化析氢和析氧的工作电极，无需后续处理。
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公开(公告)号：CN112670399A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110043761.5
申请日：2021-01-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法，其特征在于采用碲化铋基单晶材料通过烧结制备碲化铋基热电材料块体，在烧结步骤之前采用保护气氛将碲化铋基单晶材料研磨成粉体并退火，然后再进行烧结，从而得到消除类施主效应的碲化铋基热电材料。本发明提出了消除碲化铋基热电材料中类施主效应的解决方案，有助于材料内载流子浓度的稳定。相比于产生类施主效应的样品，类施主效应得以抑制的样品的载流子浓度显著降低，基本与样品破碎前保持一致，处于碲化铋基热电材料的最优载流子浓度区间；同时Seebeck系数的绝对值和功率因子均显著提升，总热导率显著降低，最终无量纲热电优值ZT也得以优化。
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公开(公告)号：CN111876632A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010751701.4
申请日：2020-07-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 一种快速制备高取向高功率因子的p型或n型Bi2Te3基热电材料方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物制备、成型、热锻三个部分，首先将高纯Bi，Sb，Te，Se，S按照化学计量比称量，通过自蔓延合成或热爆合成的方式超快速制备得到p型或n型Bi2Te3基热电材料；然后将p型或n型Bi2Te3基热电材料研磨筛分，选取合适粒径材料进行放电等离子烧结，获得致密块体材料；将致密块体材料通过放电等离子烧结技术进行热锻，得到高取向性、高功率因子的p型或n型的Bi2Te3基热电材料。本发明通过热爆及自蔓延燃烧合成技术可以大大减少原料制备所需时间，以及研磨达到所需粒径时间，结合放电等离子烧结技术进行热锻，可以有效控制晶粒长大，时间短，材料具有高取向性、高功率因子。
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公开(公告)号：CN111864041A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010727296.2
申请日：2020-07-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备ZnTe掺杂的p型多晶Bi2Te3热电材料的方法，包括如下步骤：（1）根据ZnTe掺杂的p型多晶Bi2Te3热电材料的化学组成中各元素的化学计量比，称量高纯的单质Bi、Sb、Te、Zn作为原料；（2）将步骤（1）称取的原料真空密封后进行熔融，冷却后得到锭体；（3）将步骤（2）所得锭体在保护气氛下进行熔体旋甩，收集得到的薄带，然后真空密封后进行退火；（4）将步骤（3）退火得到的薄带研磨后进行放电等离子活化烧结，得到ZnTe掺杂高性能p型多晶Bi2Te3热电材料。本发明所述方法可重复性高，所制备的p型多晶Bi2Te3热电材料的热电性能优异，稳定性好。
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