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公开(公告)号：CN114729469B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080081826.9
申请日：2020-08-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。
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公开(公告)号：CN102131964B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080002414.8
申请日：2010-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/066 , C30B29/403
Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。
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公开(公告)号：CN102016135A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114398.9
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/00 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B28/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , Y10T428/24471
Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。
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公开(公告)号：CN101970708A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980000384.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115087767A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080096470.6
申请日：2020-09-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种具有主面的砷化镓单晶衬底，其中，在通过X射线光电子能谱法测定主面时，以三氧化二砷形式存在的As原子数相对于以五氧化二砷形式存在的As原子数之比为2以上，所述X射线光电子能谱法使用能量为150eV的X射线、并且将光电子的出射角度设定为5°。主面的算术平均粗糙度(Ra)为0.3nm以下。
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公开(公告)号：CN102959677B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180030507.6
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/76256 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。
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公开(公告)号：CN101469452B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN103180494A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180028976.4
申请日：2011-12-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0254 , C03C10/0018 , C04B35/106 , C04B35/16 , C04B35/185 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3463 , C04B2235/9607 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02002 , H01L21/02422 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02658 , H01L21/02664
Abstract: 本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。
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公开(公告)号：CN102017080B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200980114395.5
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C14/06 , C23C14/28 , C30B29/36 , C30B29/38
CPC classification number: H01L29/267 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x)CwAlxNv晶体。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，通过脉冲激光沉积法在所述Si衬底(11)上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(12)，其中0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1。
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