公开(公告)号：CN105934534B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201580005918.8

申请日：2015-01-28

申请人： GTAT公司

发明人： A·D·罗兹 ,  K·H·巴伦杰

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种用于CVD硅沉积反应器的管状细丝组件，其通过在管状细丝的顶部和/或底部与匹配于桥和/或支撑卡盘的成型部件之间形成的可滑动的连接，提供了竖直管状细丝连贯和低电阻的连接，使得该连接至少对竖直细丝和/或水平连桥的倾斜角度的小变化不敏感。所述成型部件可以并入桥和/或卡盘中或独立的且与桥和/或卡盘匹配。本发明描述了许多不同的实施方式。

公开(公告)号：CN104854644B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201380064473.1

申请日：2013-12-10

申请人： GTAT公司

发明人： D·B·乔伊斯 ,  J·Q·达姆 ,  J·M·扎勒

IPC分类号： G09F9/00

摘要： 本发明公开一种包括盖板的电子装置。该盖板包括至少一层改性蓝宝石，该改性蓝宝石所具有的介电常数高于蓝宝石的介电常数。

公开(公告)号：CN108884563A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680078741.9

申请日：2016-11-14

申请人： GTAT公司

发明人： D·J·德罗西耶 ,  C·R·费罗

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/24

摘要： 一种形成一化学气相沉积(CVD)反应器的一细丝组件的方法，包括由一桥连接的至少一细丝结构。该细丝结构包括与一硅种子合成一体的一中空硅细丝。本发明描述了各种实施例，包括具有此细丝组件的一CVD系统以及沉积硅于此细丝组件上的一方法。

公开(公告)号：CN104080735B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201280065700.8

申请日：2012-11-02

申请人： GTAT公司

发明人： B·黑兹尔坦 ,  S·法伦布鲁克 ,  秦文军

IPC分类号： C01B33/107 ,  B01D3/14

CPC分类号： C01B33/10778 ,  B01D3/143

摘要： 本发明公开了用于从包含三氯硅烷的组合物中除去含硼污染物以形成包含三氯硅烷的纯化产物的系统及方法。具有不同入口及出口位置的纯化塔及装置彼此流体相连以移除TCS中存在的不同类型的硼物质及其它杂质。

公开(公告)号：CN105518190A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049194.2

申请日：2014-09-05

申请人： GTAT公司

发明人： R·V·德切夫 ,  P·萨坦纳日哈瓦 ,  A·M·安德凯威 ,  D·S·李特尔

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36

摘要： 本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外的加热元件、和位于炉壳内由绝热体包围的热区。热区包括具有位于下区域的硅碳化物先驱物和位于上区域的硅碳化物晶种的坩埚。热区经加热以升华硅碳化物先驱物，于硅碳化物晶种的底部表面形成硅碳化物。同样公开用以生产硅碳化物的升华炉以及所生产的硅碳化物材料。

公开(公告)号：CN105518187A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049097.3

申请日：2014-09-05

申请人： GTAT公司

发明人： R·V·德切夫 ,  P·萨坦纳日哈瓦 ,  A·M·安德凯威 ,  D·S·李特尔

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 一种生产硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。

公开(公告)号：CN105452165A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044673.5

申请日：2014-08-06

申请人： GTAT公司

发明人： M·H·利泽 ,  W·沃尔曼 ,  C·M·沃纳特赫

IPC分类号： C01B33/035 ,  H05B1/02

CPC分类号： C01B33/021 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0803 ,  B01J2219/0879 ,  C01B33/035 ,  H05B1/0233

摘要： 本发明揭示一种为了硅生产点火一或多个丝的方法及系统，其包含使用与该一或多个丝连接的一变压器将一输出电压施加至该一或多个丝。另外，该方法包含与该输出电压的该施加组合，经由一扼流圈而将一电流供应至该变压器的一初级绕组以限制该电流至一第一预定电流临限值范围。该经供应电流与该经施加输出电压的该组合容许自起始要求点火该一或多个丝的一电力供应装置产生的一预定输出范围。

公开(公告)号：CN105027300A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480013234.8

申请日：2014-02-26

申请人： GTAT公司

发明人： S.巴贝安 ,  R.布雷纳德 ,  A.查里 ,  A.德拉富恩特沃恩布罗克 ,  V.穆拉利 ,  G.普拉布 ,  V.萨巴拉曼 ,  D.徐

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0508 ,  Y02E10/50

摘要： 公开了一种独立金属件和制作方法，其中所述金属件电铸在导电芯模上。所述芯模具有外表面，所述外表面具有预成形图案，其中所述金属件的至少一部分在所述预成形图案中形成。将所述金属件与所述导电芯模分离，形成可以与光伏电池用半导体材料的表面耦合的独立金属件。

公开(公告)号：CN105027299A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480013232.9

申请日：2014-02-26

申请人： GTAT公司

发明人： S.巴贝安 ,  R.布雷纳德 ,  A.查里 ,  A.德拉富恩特沃恩布罗克 ,  V.穆拉利 ,  G.普拉布 ,  A.拉丁 ,  V.萨巴拉曼 ,  D.坦纳 ,  D.徐

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0508 ,  Y02E10/50

摘要： 公开了一种独立金属件及制作方法，其中所述金属件电铸在导电芯模上。所述金属件具有多个电铸元件，其被构造来充当光伏电池的电导管。第一电铸元件具有下列各项中的至少一个：a)沿所述第一元件的第一长度的非均匀宽度，b)在沿所述第一元件的所述第一长度的第一导管方向上的变化，c)沿所述第一元件的所述第一长度的膨胀区段，d)与所述多个电铸元件中的第二元件的第二宽度不同的第一宽度，e)与所述多个电铸元件中的所述第二元件的第二高度不同的第一高度，和f)被纹理化的顶部表面。

公开(公告)号：CN104769166A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380043928.1

申请日：2013-08-16

申请人： GTAT公司

发明人： I·T·维廷 ,  V·辛 ,  N·端木

IPC分类号： C30B15/02 ,  C30B13/08 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B11/14 ,  B28D5/0023 ,  C30B11/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  C30B35/00

摘要： 本文提供降低硅铸锭生产总成本的系统及方法。更具体地说，可以特殊取向自关于多个节点的硅晶锭薄切一或多片表面片件。这些一或多片表面片件可接着予以形成为一或多颗可用于硅铸锭生长工艺具有特定长度、宽度和厚度的种晶。藉由利用这些片件以形成一或多颗种晶，以前会遭到丢弃的晶锭片件现在可予以用于形成高品质种晶以供硅铸锭生长工艺使用。