通过在薄的半导体薄片上构造支撑元件而形成设备的方法

    公开(公告)号:CN103348491A

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201180062988.9

    申请日:2011-12-22

    申请人: GTAT公司

    IPC分类号: H01L31/042 H01L31/18

    摘要: 本发明描述了半导体组件,其中在半导体薄片的表面上构造支撑元件。在薄的薄片(该薄片可具有大约50微米或更小的厚度)形成之后,例如,通过电镀,或通过前体的应用和原位固化,从而产生可为例如金属、陶瓷、聚合物等等的支撑元件,从而形成所述支撑元件。这与刚性的或半刚性的预成型的支撑元件形成对照,该支撑元件在薄片形成之后被粘附到薄片上,或粘附到施体晶片上,随后从所述施体晶片切割下所述薄片。原位制作所述支撑元件可避免用来将所述薄片附着到永久的支撑元件上的粘合剂的使用;这样的粘合剂可能无法承受完成设备所需要的加工温度和条件。在某些实施例中,这个工艺流程允许在高温上退火所述薄片,然后在该退火之后,具有在所述薄片的每一个面上形成的非晶硅层。可形成包括所述薄片的设备,如光伏电池。