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公开(公告)号：CN105479280A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511011730.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: B24B7/16 , B24B7/226 , B24B7/228 , B24B41/067
Abstract: 本发明提供一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置及方法，该装置包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本发明可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏角整形时多次修正的过程，有效提高了整形效率，且本发明操作简单、精度较高。
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公开(公告)号：CN103506928B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210202351.1
申请日：2012-06-19
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN103022220B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110281114.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN105479327A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511006393.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本发明用于晶片粘结后挤出气泡、压按平整。
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公开(公告)号：CN103230894A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310124164.0
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及一种锗酸铋晶片的清洗工艺，所述清洗工艺包括：采用二级去离子水对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面粘附力较弱的大块污染物的初步清洗步骤；采用航空煤油对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面有机物油污的第二清洗步骤；采用CCl4溶液对所述锗酸铋晶片进行清洗以进一步去除锗酸铋晶片表面有机物油污的第三清洗步骤；采用15%～25%的丙酸和超纯去离子水混合溶液对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面无机物污染物的第四清洗步骤；以及对所述锗酸铋晶片进行吹干处理的干燥步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022220A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281114.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN108214955B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201810005342.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，该定向切割装置包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。本发明可有效控制氮化镓晶锭首片的切割厚度。
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公开(公告)号：CN108214955A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810005342.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，该定向切割装置包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。本发明可有效控制氮化镓晶锭首片的切割厚度。
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公开(公告)号：CN104842253A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410056725.2
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: B24B29/02
CPC classification number: B24B29/02 , B24B7/228 , B24B9/065 , B24B37/107 , B24B37/34
Abstract: 本发明涉及用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法，所述抛光装置包括：承载抛光液且能够旋转的抛光底盘；位于所述抛光底盘上方且用于承载待抛光晶片的各向抛光分离环；以及使各向抛光分离环旋转的传动机构；其中，所述各向抛光分离环包括分离外环和位于所述分离外环中围绕其轴心设置的多个分离内环，所述分离内环的外部、分离外环的内部分别具有能够相互啮合并能够与所述传动机构的传动齿轮啮合的齿轮状结构以使待抛光晶片的旋转速率、抛光磨料供给、和抛光运行轨迹保持相对一致。本发明采用各向抛光分离环替代了常用的游星轮，可以单片抛光，也可以多片一起抛光，还可以将多片不同规格的晶片同时抛光，提高了抛光效率。
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公开(公告)号：CN102514110B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110453604.8
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开裂，操作简便、耗时短、成本低。
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