公开(公告)号：CN105474315A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480024274.2

申请日：2014-09-29

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： Y·久保田 ,  T·J·克莱玛 ,  张凯杰 ,  高利 ,  Y·丁 ,  彭应国 ,  J-U·蒂勒尔

IPC分类号： G11B5/73

CPC分类号： G11B5/65 ,  G11B5/647 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851

摘要： 磁堆包括基片和磁性记录层。在基片与磁性记录层之间设置有MgO-Ti(ON)层。

公开(公告)号：CN103855298A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625298.0

申请日：2013-11-28

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： V·R·印图瑞 ,  田伟 ,  J·芒德纳

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/08

CPC分类号： G11C11/14 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/647 ,  G11B5/653 ,  G11B5/84 ,  H01F41/22

摘要： 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。

公开(公告)号：CN103855298B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201310625298.0

申请日：2013-11-28

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： V·R·印图瑞 ,  田伟 ,  J·芒德纳

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/08

CPC分类号： G11C11/14 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/647 ,  G11B5/653 ,  G11B5/84 ,  H01F41/22

摘要： 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。

公开(公告)号：CN106875959A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710003471.1

申请日：2017-01-04

申请人： 南京大学

发明人： 徐永兵 ,  杨龙 ,  王君林 ,  刘文卿

IPC分类号： G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851

CPC分类号： G11B5/647 ,  G11B5/653 ,  G11B5/851

摘要： 一种四进制磁性存储单元，由磁性材料组成十字形结构，包含水平方向磁臂和竖直方向磁臂以及磁臂交叉的四种磁化状态的十字交叉结，当水平方向磁臂和竖直方向磁臂分别形成上下、左右磁化方向时，十字交叉结处能稳定存在四个磁化方向，将交叉结的四种磁化方向定义为四进制的“0”、“1”、“2”、“3”；写入数据时，磁头改变水平或竖直方向磁臂的磁化方向，进而改变十字交叉结处的磁化方向；读取数据时，磁头通过电磁感应来读出十字交叉结处的磁化方向。

公开(公告)号：CN106356081A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610554707.6

申请日：2016-07-14

申请人： HGST荷兰公司

发明人： Z.陈 ,  F.杨

IPC分类号： G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66

CPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/70678 ,  G11B5/746 ,  G11B2005/0024 ,  G11B5/647 ,  G11B5/653 ,  G11B5/66

摘要： 本文公开的实施例总体上涉及一种用于MAMR的磁记录介质。所述磁盘装置可以包含基板和磁层，所述磁层包含钡基六角铁氧体。所述磁记录介质还可以可选地包含软底层、籽晶层，和/或上覆层。

公开(公告)号：CN106133185A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016385.3

申请日：2015-03-12

申请人： 捷客斯金属株式会社

发明人： 大桥一允 ,  小田国博

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C19/03 ,  G11B5/851

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/15 ,  B22F5/003 ,  B22F9/082 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/03 ,  C23C14/14 ,  G11B5/647 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491 ,  B22F3/14

摘要： 一种Ni‑P合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将P含量为15重量％～21重量％、剩余部分包含Ni和不可避免的杂质的Ni‑P合金熔化，并进行雾化加工，从而制造平均粒径100μm以下的Ni‑P合金雾化加工粉，然后将纯Ni雾化粉与该Ni‑P合金雾化加工粉混合，并对其进行热压。本发明的课题在于提供一种与目标组成的偏离小的Ni‑P合金溅射靶的制造方法。