公开(公告)号：CN103855298B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201310625298.0

申请日：2013-11-28

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： V·R·印图瑞 ,  田伟 ,  J·芒德纳

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/08

CPC分类号： G11C11/14 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/647 ,  G11B5/653 ,  G11B5/84 ,  H01F41/22

摘要： 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。

公开(公告)号：CN103855298A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625298.0

申请日：2013-11-28

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： V·R·印图瑞 ,  田伟 ,  J·芒德纳

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/08

CPC分类号： G11C11/14 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/647 ,  G11B5/653 ,  G11B5/84 ,  H01F41/22

摘要： 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。