-
公开(公告)号：CN107887103B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201711169287.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种磁电阻薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构为：基片/Ta和半金属元素的合金化合物/（1.0～200.0nm）多层膜和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在NiFe(NiCo)或者MO/NiFe(NiCo)/MO两边沉积（1.0～20.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的平均自由程，进而达到提高NiFe和NiCo薄膜的平面霍尔效应（PHE）灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN107958765B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201711116536.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构：基片/（0.1～100nm）Ta和半金属元素的合金化合物/多层膜/（0.1～100nm）Ta和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在上述多层膜两边沉积（0.1～100.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来避免Ta的扩散，同时改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的自由程，进而达到提高薄膜的垂直磁各向异性、改善其热稳定性的目的，以满足磁性随机存储器和磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN107958765A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711116536.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构：基片/（0.1～100nm）Ta和半金属元素的合金化合物/多层膜/（0.1～100nm）Ta和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在上述多层膜两边沉积（0.1～100.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来避免Ta的扩散，同时改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的自由程，进而达到提高薄膜的垂直磁各向异性、改善其热稳定性的目的，以满足磁性随机存储器和磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN107887103A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711169287.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01F10/10 , C23C14/06 , C23C14/3464 , C23C14/5806 , H01F41/14 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种磁电阻薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构为：基片/Ta和半金属元素的合金化合物/（1.0～200.0nm）多层膜和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在NiFe(NiCo)或者MO/NiFe(NiCo)/MO两边沉积（1.0～20.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的平均自由程，进而达到提高NiFe和NiCo薄膜的平面霍尔效应（PHE）灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
