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公开(公告)号：CN103682087B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310734074.3
申请日：2013-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种有效增强磁性多层膜垂直矫顽力的方法。本发明通过对Ta/Cu底层进行不同温度下的在位加热处理，研制出具有高垂直矫顽力的Ta/Cu/[Co/Ni]3-8/Ta多层膜结构，并且具有较强的垂直各向异性。再结合后续退火处理，可进一步提高多层膜的垂直矫顽力。本发明的有益效果在于：其方法简单，可有效提高基于较薄种子层的磁性多层膜的垂直矫顽力，进而用于高性能的自旋电子器件的研究。
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公开(公告)号：CN101393764A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810200092.2
申请日：2008-09-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G11B27/36 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 本发明是激光诱导磁记录动态测试方法及测试系统，主要是运用磁存储介质对光频的选择响应、热磁效应及巨磁阻效应等，实现的一种超高密度高速、光磁混合动态存储技术方案。是目前光、磁存储技术发展领域中的创新方法与技术。采用一定波长及功率连续可调的激光为诱导热辅助光源，选择与光频相匹配的磁记录介质制成的盘片，在2000～10000转/分的转速下，利用磁场调制、巨磁阻磁头动态写读方式，在信息记录点处使介质在适当的磁场调制(水平磁记录或垂直磁记录)下实现磁畴翻转，从而实现激光诱导磁调制动态写入、擦除及读出。
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公开(公告)号：CN101320616A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810035234.4
申请日：2008-03-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁记录技术领域，具体为一种具有垂直磁各向异性的自旋阀。本发明中上下铁磁层采用Co/Ni多层膜结构，利用磁控溅射的方法在常温下沉积而成。Co/Ni多层膜由于其较大的表面和界面各向异性而具有易磁化方向垂直于膜面的特性，且其磁垂直各向异性常数，矫顽力等性质可以通过Co，Ni层的厚度，周期数和缓冲层来调制。另外，Co，Ni都是磁性材料，有较大的自旋极化率。本发明中的完整自旋阀和赝自旋阀GMR信号可达5.4－7.7％，完整自旋阀的交换偏置场可达450Oe以上，热稳定性可达250℃。本发明在计算机硬盘读头，MRAM和其它自旋电子器件中有重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101215689B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710173302.9
申请日：2007-12-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体为一种制备(002)织构Fe薄膜的方法。本发明通过热处理的方式实现Fe磁性薄膜完全的(002)取向，具体是：首先在玻璃衬底上，通过磁控溅射的方式沉积一层厚度为10纳米到50纳米的Fe薄膜；然后，将样品在真空环境中退火，加热的方式是用卤素灯对Fe膜进行辐照，退火温度在400℃到600℃之间，时间为10-20分钟。由此制备得到的Fe薄膜具有完全的(002)取向。本发明系统研究制备过程中影响最终结构的各个因素，为用磁控溅射的方式制备Fe(002)织构磁性薄膜提供了完整的参数要求。在(002)织构Fe薄膜上进一步生长FePt薄膜，使得L10相FePt薄膜的C轴垂直于薄膜表面，成为性能优良的磁存储介质。
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公开(公告)号：CN100510190C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610118917.7
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁记录技术领域，具体为一种制备c轴垂直于衬底取向的L10相FePt磁记录介质薄膜的新方法。该方法是在衬底与FePt薄膜之间引入一层超薄的氧化物层，以改善FePt薄膜的取向生长。首先在衬底上生长一层超薄的金属层，然后在氧气气氛或者氧氩混合气氛中用等离子体反溅射的方法氧化该金属层。氧化结束之后将真空恢复到本底真空，在室温下溅射FePt基合金薄膜。然后在真空环境中退火，用卤素灯进行辐照。由此制备得到的FePt样品有明显的c轴择优取向，同时具有很大的矫顽力(大于6000Oe)。本发明方法不同于单晶或取向缓冲层上外延生长，以及多层膜退火的非外延生长方式，为制备c轴取向的L10相FePt有序合金薄膜提供了一种快捷、高效的工艺条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101215689A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710173302.9
申请日：2007-12-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体为一种制备(002)织构Fe薄膜的方法。本发明通过热处理的方式实现Fe磁性薄膜完全的(002)取向，具体是：首先在玻璃衬底上，通过磁控溅射的方式沉积一层厚度为10纳米到50纳米的Fe薄膜；然后，将样品在真空环境中退火，加热的方式是用卤素灯对Fe膜进行辐照，退火温度在400℃到600℃之间，时间为10－20分钟。由此制备得到的Fe薄膜具有完全的(002)取向。本发明系统研究制备过程中影响最终结构的各个因素，为用磁控溅射的方式制备Fe(002)织构磁性薄膜提供了完整的参数要求。在(002)织构Fe薄膜上进一步生长FePt薄膜，使得L10相FePt薄膜的C轴垂直于薄膜表面，成为性能优良的磁存储介质。
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![一种交换耦合介质L10-FePt/[Co/Ni]N及其制备方法](/CN/2011/1/24/images/201110121247.jpg)
公开(公告)号：CN102280113A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110121247.5
申请日：2011-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属信息存储技术领域，具体为交换耦合复合介质L10-FePt/[Co/Ni]N及其制备方法。所述交换耦合复合介质是在（001）取向的L10FePt薄膜的表面，沉积Co/Ni多层膜以及一非磁性Pt薄层而组成，记为L10-FePt/[Co/Ni]N，N为复合膜Co/Ni的周期数。本发明通过在高矫顽力的（001）取向的L10FePt薄膜表面沉积一层具有垂直磁易轴的Co/Ni多层膜，能够将FePt薄膜的磁化翻转场下降到适合现有磁头记录的大小，从而满足超高密度记录介质的应用。
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公开(公告)号：CN101692374A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910197211.8
申请日：2009-10-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁记录技术领域，具体为一种易轴垂直取向的人工合成反铁磁体和赝自旋阀薄膜结构。本发明中的人工合成反铁磁体是由中间被非磁性层Ru隔开的两个垂直磁化[Co/Ni]多层膜构成的三明治结构，赝自旋阀结构采用了上述人工合成的反铁磁体作为磁性参考层，单个[Co/Ni]多层膜作为自由层。通过调节Ru层的厚度可以获得不同的反铁磁层间耦合强度，而自旋阀的巨磁电阻信号大小及其热稳定性可以通过通过[Co/Ni]多层膜的周期数来调制。本发明中的赝自旋阀其自由层和参考层磁化翻转场的差别可达800Oe，室温巨磁电阻信号优于6.0％，经300℃热处理后的信号仍高达5.0％，具有优异的热稳定性。本发明在计算机硬盘读头，MRAM和其它自旋电子器件中有重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN1962951A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118917.7
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁记录技术领域，具体为一种制备c轴垂直于衬底取向的L10相FePt磁记录介质薄膜的新方法。该方法是在衬底与FePt薄膜之间引入一层超薄的氧化物层，以改善FePt薄膜的取向生长。首先在衬底上生长一层超薄的金属层，然后在氧气气氛或者氧氩混合气氛中用等离子体反溅射的方法氧化该金属层。氧化结束之后将真空恢复到本底真空，在室温下溅射FePt基合金薄膜。然后在真空环境中退火，用卤素灯进行辐照。由此制备得到的FePt样品有明显的c轴择优取向，同时具有很大的矫顽力(大于6000 Oe)。本发明方法不同于单晶或取向缓冲层上外延生长，以及多层膜退火的非外延生长方式，为制备c轴取向的L10相FePt有序合金薄膜提供了一种快捷、高效的工艺条件。
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公开(公告)号：CN101692374B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN200910197211.8
申请日：2009-10-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁记录技术领域，具体为一种易轴垂直取向的人工合成反铁磁体和赝自旋阀薄膜结构。本发明中的人工合成反铁磁体是由中间被非磁性层Ru隔开的两个垂直磁化[Co/Ni]多层膜构成的三明治结构，赝自旋阀结构采用了上述人工合成的反铁磁体作为磁性参考层，单个[Co/Ni]多层膜作为自由层。通过调节Ru层的厚度可以获得不同的反铁磁层间耦合强度，而自旋阀的巨磁电阻信号大小及其热稳定性可以通过通过[Co/Ni]多层膜的周期数来调制。本发明中的赝自旋阀其自由层和参考层磁化翻转场的差别可达800Oe，室温巨磁电阻信号优于6.0％，经300℃热处理后的信号仍高达5.0％，具有优异的热稳定性。本发明在计算机硬盘读头，MRAM和其它自旋电子器件中有重大的应用价值。
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