公开(公告)号：CN101215689B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200710173302.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马斌 ,  何世海 ,  金庆原

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体为一种制备(002)织构Fe薄膜的方法。本发明通过热处理的方式实现Fe磁性薄膜完全的(002)取向，具体是：首先在玻璃衬底上，通过磁控溅射的方式沉积一层厚度为10纳米到50纳米的Fe薄膜；然后，将样品在真空环境中退火，加热的方式是用卤素灯对Fe膜进行辐照，退火温度在400℃到600℃之间，时间为10-20分钟。由此制备得到的Fe薄膜具有完全的(002)取向。本发明系统研究制备过程中影响最终结构的各个因素，为用磁控溅射的方式制备Fe(002)织构磁性薄膜提供了完整的参数要求。在(002)织构Fe薄膜上进一步生长FePt薄膜，使得L10相FePt薄膜的C轴垂直于薄膜表面，成为性能优良的磁存储介质。

公开(公告)号：CN101215689A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710173302.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马斌 ,  何世海 ,  金庆原

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体为一种制备(002)织构Fe薄膜的方法。本发明通过热处理的方式实现Fe磁性薄膜完全的(002)取向，具体是：首先在玻璃衬底上，通过磁控溅射的方式沉积一层厚度为10纳米到50纳米的Fe薄膜；然后，将样品在真空环境中退火，加热的方式是用卤素灯对Fe膜进行辐照，退火温度在400℃到600℃之间，时间为10－20分钟。由此制备得到的Fe薄膜具有完全的(002)取向。本发明系统研究制备过程中影响最终结构的各个因素，为用磁控溅射的方式制备Fe(002)织构磁性薄膜提供了完整的参数要求。在(002)织构Fe薄膜上进一步生长FePt薄膜，使得L10相FePt薄膜的C轴垂直于薄膜表面，成为性能优良的磁存储介质。