-
公开(公告)号：CN112185428B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010578142.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS2、六方BN、WS2、WSe2或石墨。第二种子层(4)包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN。基底层(5)包含Ru。
-
-
公开(公告)号：CN112185428A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010578142.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS2、六方BN、WS2、WSe2或石墨。第二种子层(4)包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN。基底层(5)包含Ru。
-
公开(公告)号：CN105632520B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510818080.6
申请日：2015-11-23
Applicant: 昭和电工株式会社 , 日本原子力研究开发机构
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质，包括非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231092B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711376704.9
申请日：2017-12-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。
-
公开(公告)号：CN108182951B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711284415.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。
-
公开(公告)号：CN115715140A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210226362.7
申请日：2022-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供结晶性高的层叠体、利用了该层叠体的谐振子、滤波器及该谐振子的制造方法。一种层叠体，具备基板(210)、配置于基板(210)之上且由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)、形成于基板(210)与电极层(230)之间且使电极层(230)的晶体取向性提高的缓冲层(220)、和形成于电极层(230)之上且由压电体构成的压电层(240)，缓冲层(220)及压电层(240)由以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分的单晶构成。
-
公开(公告)号：CN115708316A
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210232957.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供结晶性高的压电膜及具备该压电膜的谐振子、滤波器等。一种压电膜，是包含通过谐振来获取需要的频率的电波的压电体的压电膜，压电体，以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分，密勒指数为(11‑20)的晶格面的X射线摇摆曲线的半值宽度为10°以下。
-
公开(公告)号：CN107068168B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201611161241.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时，满足Kui＞Kui+1(i＝1，2)、Msi·ti＞Msi+1·ti+1(i＝1，2)、Kui＜Kui+1(i＝3)及Msi·ti＜Msi+1·ti+1(i＝3)的关系。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.033 seconds)
