公开(公告)号：CN112185428B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010578142.1

申请日：2020-06-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  东佑

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/84

Abstract: 提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS2、六方BN、WS2、WSe2或石墨。第二种子层(4)包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN。基底层(5)包含Ru。

公开(公告)号：CN112185428A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010578142.1

申请日：2020-06-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  东佑

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/84

Abstract: 提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS2、六方BN、WS2、WSe2或石墨。第二种子层(4)包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN。基底层(5)包含Ru。