-
-
公开(公告)号：CN113906303A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041266.4
申请日：2020-11-17
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： G01R33/06
摘要： 磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。
-
-
公开(公告)号：CN115201723A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210255405.4
申请日：2022-03-15
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： G01R33/038 , G01R33/06 , G01R33/00
摘要： 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为，磁传感器的特征在于具备：非磁性的基板；设置于前述基板上的感应元件，所述感应元件包含软磁体，并且，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；和从前述感应元件的前述长边方向的端部突出的突出部，所述突出部包含软磁体。
-
公开(公告)号：CN115715139A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210224956.4
申请日：2022-03-09
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： H10N30/076 , H10N30/06 , H03H3/02
摘要： 提供结晶性高的层叠体的制造方法。一种层叠体的制造方法，是制造以AlN为主成分的层叠体的方法，其特征在于，包含：在基板(210)上形成由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)的工序；和在电极层(230)之上通过溅射而形成以AlN为主成分的压电层(240)的工序，在形成压电层(240)的工序中，在进行溅射时，对靶施加脉冲电压，将占空比设为4％以下，将施加脉冲时的平均功率密度设为200W/cm2以上且2500W/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN114487948A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111181840.9
申请日：2021-10-11
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明涉及磁传感器。本发明的课题为：在利用了磁阻抗效应的磁传感器中，与感应元件的短边方向的宽度从长边方向的一端至另一端相等的情况相比，使灵敏度提高。本发明的解决手段为：磁传感器具备非磁性的基板、和设置于前述基板上且由软磁体形成的感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，该长边方向的中央部的宽度小于该长边方向的两端部，所述感应元件通过磁阻抗效应来感应磁场。
-
公开(公告)号：CN115715140A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210226362.7
申请日：2022-03-09
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 提供结晶性高的层叠体、利用了该层叠体的谐振子、滤波器及该谐振子的制造方法。一种层叠体，具备基板(210)、配置于基板(210)之上且由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)、形成于基板(210)与电极层(230)之间且使电极层(230)的晶体取向性提高的缓冲层(220)、和形成于电极层(230)之上且由压电体构成的压电层(240)，缓冲层(220)及压电层(240)由以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分的单晶构成。
-
-
公开(公告)号：CN114761816A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082416.6
申请日：2020-11-17
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 磁传感器具备：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层(105)及导电性比软磁体层(105)高且在长边方向上贯穿软磁体层(105)的内部的导电体层，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及连接部(32)，所述连接部(32)与感应元件的导电体层连续地形成并将在短边方向上相邻的感应元件(31)串联连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.041 秒)
