公开(公告)号：CN111321464A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911232930.9

申请日：2019-12-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  奥野好成 ,  金田一麟平

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。

公开(公告)号：CN111349908A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911239990.3

申请日：2019-12-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  奥野好成 ,  金田一麟平

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C30B29/36 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明提供一种SiC化学气相沉积装置，上述SiC化学气相沉积装置具有：炉体，其在内部构成沉积空间；和载置台，其位于上述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，上述炉体具有：第1孔，其位于与上述载置面对置的上部，向上述沉积空间内导入原料气体；第2孔，其位于上述炉体的侧壁，供吹扫气体流入上述沉积空间内；以及第3孔，其位于上述炉体的侧壁的比上述第2孔靠下方的位置，将上述沉积空间内的气体排出，在上述第2孔的下端具备突出部，该突出部朝向上述沉积空间突出，调整上述原料气体的流动。

公开(公告)号：CN109957840A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811539291.6

申请日：2018-12-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  藤川阳平 ,  奥野好成

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。

公开(公告)号：CN111321464B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201911232930.9

申请日：2019-12-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  奥野好成 ,  金田一麟平

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。

公开(公告)号：CN111286780A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911230656.1

申请日：2019-12-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  奥野好成 ,  庄内智博

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，其具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率比所述主体部低的低辐射部，所述加热部位于所述坩埚的外侧，利用辐射热来加热所述坩埚，所述低辐射部设置于在所述坩埚不具有低辐射部的情况下成为加热中心的第一点的外表面。

公开(公告)号：CN110408988A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910328169.2

申请日：2019-04-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  奥野好成 ,  庄内智博

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式涉及的SiC单晶生长装置，具备：在与原料相对的位置能够设置晶种的晶种设置部；引导构件，其从所述晶种设置部的周围朝向原料延伸，引导在引导构件的内侧进行的结晶生长；和能够在所述引导构件的外侧沿着所述引导构件的延伸方向移动的绝热材料。

公开(公告)号：CN115201723A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210255405.4

申请日：2022-03-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 利根川翔 ,  坂胁彰 ,  金田一麟平

IPC: G01R33/038 ,  G01R33/06 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为，磁传感器的特征在于具备：非磁性的基板；设置于前述基板上的感应元件，所述感应元件包含软磁体，并且，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；和从前述感应元件的前述长边方向的端部突出的突出部，所述突出部包含软磁体。

公开(公告)号：CN110408988B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201910328169.2

申请日：2019-04-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  奥野好成 ,  庄内智博

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式涉及的SiC单晶生长装置，具备：在与原料相对的位置能够设置晶种的晶种设置部；引导构件，其从所述晶种设置部的周围朝向原料延伸，引导在引导构件的内侧进行的结晶生长；和能够在所述引导构件的外侧沿着所述引导构件的延伸方向移动的绝热材料。

公开(公告)号：CN109957840B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201811539291.6

申请日：2018-12-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  藤川阳平 ,  奥野好成

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。

公开(公告)号：CN111286785A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911227890.9

申请日：2019-12-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  奥野好成 ,  庄内智博

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 一种晶体生长装置，具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，且在加热时能够将内部的特定区域的温度控制成比其它区域的温度高的温度或低的温度，所述加热部位于所述坩埚的外侧，且利用辐射热来加热所述坩埚，所述第1部分位于所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置。