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公开(公告)号：CN119764162A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510245601.7
申请日：2025-03-04
Applicant: 忻州中科晶电信息材料有限公司
IPC: H01L21/223 , C30B29/42 , C30B31/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种掺杂镉元素的砷化镓晶片及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：清洗砷化镓晶片、安装架和扩散容器；将砷化镓晶片装于安装架上，将砷和镉分别装入扩散容器内顶部两装料槽，将安装架置于扩散容器内；在抽真空后将扩散容器装入真空扩散炉烘烤；调控真空扩散炉内温度，使镉元素扩散掺杂入砷化镓晶片；完成掺杂后，对扩散容器进行冷却；将砷化镓晶片取出清洗；将砷化镓晶片减薄至目标厚度。本发明通过在真空扩散炉中，将镉元素扩散至砷化镓晶片内，镉元素挤占镓位，提供空穴，使砷化镓转变为P型半导体，有效提高晶片载流子浓度，晶片电性能头尾偏差小，有效避免分凝现象造成的头尾电性能偏差过大的情况。
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公开(公告)号：CN119744017A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411858654.8
申请日：2024-12-16
Applicant: 江门普乐开瑞太阳能科技有限公司
Abstract: 本发明属于背接触钝化电池技术领域，提供了一种双层隧穿和poly制备背接触n‑poly钝化电池的方法。本发明的第一层隧穿的厚度为1.25～1.35nm，第一层poly的厚度为125～135nm；第二层隧穿的厚度为0.95～1.05nm，第二层poly的厚度为115～125nm。本发明选择低压高温沉积，尽可能的沉积致密多晶，可以得到片内与片间膜厚较好的膜层，也可以降低接触电阻；通过叠层隧穿+poly的工艺方法，结合磷扩的扩散掺杂温度匹配，可以得到接触更为良好的背接触电池。
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公开(公告)号：CN114174569B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080046408.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN119308019A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411411060.2
申请日：2024-10-10
Applicant: 和光同程光伏科技(宜宾)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型扩散合并工艺，属于太阳能电池制备技术领域，包括以下步骤：S1：炉管内回常压；S2：将硅片放入炉管内；S3：检测炉管漏率；S4：炉管内升温；S5：向炉管内通入氧气和氮气，对硅片进行前氧化工艺；S6：进行两次通源沉积，向炉管内通入氮气、氧气和硼源，硅片形成PN结；S7：向炉管内通入氮气，通过高温推结操作做深PN结；S8：向炉管内持续通入氧气，在硅片表面生成二氧化硅；S9：吹扫，炉管内通氮气，下降炉管内的温度；S10：向炉管内通入氮气，使炉管内压力回常压；S11：硅片出炉管，完成新型扩散合并工艺，本申请将氧化步骤合并到扩散工艺中，可降低生产成本，减少制程带来的潜在影响，缩短生产周期，增加产量。
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公开(公告)号：CN118307187B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410426544.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 江苏大煦朗宁新材料科技有限公司
IPC: C03B23/047 , C03B23/045 , C03B15/14 , H01L31/18 , C30B31/06
Abstract: 本发明涉及玻璃成型设备技术领域，公开了一种玻璃拉管成型装置及其在电池硅片扩散用石英管中的应用，包括熔炉、机座和安装在机座上的牵引机，机座上固定有安装架，安装架上安装有驱动机构以及多组驱动轮。本发明通过设置驱动机构、驱动轮和引导轮，当玻璃管断裂时，利用引导轮上的压力传感器检测玻璃管的断裂位置，再通过驱动机构控制断裂处的驱动轮移动，使得下滚轮夹持玻璃管，然后驱动轮运转使得下滚轮转动，将玻璃管后段驱动至牵引机中，通过这种方式，能在玻璃管断裂时迅速驱动玻璃管后段继续移动，防止玻璃管滞停，进而无需停机处理，既减小了玻璃管的损耗，又避免了影响玻璃管的生产效率，更加实用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112176414B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010617597.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02 , C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117431637B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311753075.2
申请日：2023-12-20
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明属于光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种硼扩散装置及其使用方法。本发明包括：封闭框架，用于封闭所述工作台；进气管，安装在所述封闭框架上，且所述进气管的内端与所述封闭框架内部呈气体连通状态；导气板，设置在所述进气管上，且用于将所述进气管流出的气体向侧向引导；筛板，设置在所述进气管的内端上；所述筛板上设有若干分散孔，所述分散孔倾斜设置，且倾斜方向与所述导气板的气体引导方向一致。通过封闭框架将工作台的四周封闭，在封闭框架多点安装与风机连接的进气管，并且在进气管的内端设置导风组件，使吹向工作台的风尽可能弥散，避免了风量集中在一点，产生的风速导致扬尘效应。
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公开(公告)号：CN114959906B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210576978.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 江苏龙恒新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池扩散炉，包括炉体，所述炉体的一壁内部开设有调节室，所述调节室的壁上开设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔连通所述调节室与所述炉体内腔，所述第二通孔连通所述调节室与炉体外部；所述调节室内设置有能够连通和阻断所述第一通孔第二通孔的阀门组件。本发明提供的一种太阳能电池扩散炉能够根据炉内温度自动调节散热风口的大小，从而维持炉内工作温度相对恒定，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN116623297B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310913098.9
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。
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公开(公告)号：CN114808135B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210527345.7
申请日：2022-05-16
Applicant: 合肥天曜新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶锭生产技术领域，特别涉及一种具有梯度电阻的CZT晶锭生产方法，通过间隔一定的距离设置激光器加热或者环形加热器，使得晶体形成不同的温度区，激光器加热或者环形加热器作用到的区域温度高，铟的掺杂浓度也较其他区域高，从而电阻也高，从而形成…高阻‑低阻‑高阻…型的晶锭结构，可以将晶锭按照需要切割成所需尺寸的晶片，两侧是高阻区域，中间是低阻区域，形成一个三明治结构，电极位于两个或一个高阻区外侧，这种结构可以保证低漏电流的同时，提高中心区域载流子的迁移能力，从而增强了探测能力。
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