-
公开(公告)号：CN117626444A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311520249.0
申请日：2023-11-15
申请人： 淮安捷泰新能源科技有限公司
摘要： 本发明公开一种扩散炉的控制方法，所公开的扩散炉包括炉体和用于对所述炉体加热的加热装置，所述控制方法包括：控制所述加热装置对所述炉体加热；在所述炉体的实际温度逐渐上升至相应的预设温度阈值时，控制所述加热装置的加热功率降至与所述预设温度阈值所对应的加热功率，其中，所述预设温度阈值与所述加热功率负相关。上述方案可以解决相关技术中的扩散炉在进行扩散工艺时，无法兼顾太阳能电池片的生产效率和太阳能电池片的性能的问题。
-
公开(公告)号：CN117038800A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311287031.5
申请日：2023-10-08
申请人： 南通大鹏光电有限公司
发明人： 朱小南
摘要： 本发明公开了一种太阳能光伏电池制造用扩散炉，涉及太阳能光伏电池制造领域，包括气控系统、炉体冷却机构、进出舟系统、操作系统和三组石英管，所述气控系统的一侧固定安装有炉体柜，所述进出舟系统的一侧与炉体柜的一侧固定安装。本发明，通过设置水冷管一、水冷板、水冷管二和气冷管，在石英管工作时起到隔热效果，当石英管不工作时，多组硅片待取出时，石英管不再加热，水冷管一、水冷板和风扇一起到良好的散热效果，使得石英管整体可以冷却下来，进而石英舟各个部位都能均匀降温，使得多组硅片降温更加均匀迅速，避免硅片在石英管外部散热时产生的被污染的情况，保证了硅片扩散的质量。
-
公开(公告)号：CN115679440A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211267884.8
申请日：2022-10-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化。本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。
-
公开(公告)号：CN107268085A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710647391.X
申请日：2017-08-01
申请人： 江西德义半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置，通过控制源区与生长区的温度分布实现物理化学气相传输，即原料在源区下发生化学反应并形成气相物质，该气相物质在轴向温度梯度的作用下物理传输到至砷化镓多晶中。该种方法合成的高阻半绝缘砷化镓多晶用于拉制半绝缘砷化镓单晶，拉制出的半绝缘砷化镓单晶具有电阻率高、碳分布均匀、电子迁移率高的优点；避免了在砷化镓单晶拉制过程中直接掺杂，有效降低了如晶体生长的成晶率、C浓度的控制及其分布均匀性等方面的制造难度；设备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN100448327C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN03809972.1
申请日：2003-03-04
申请人： 应用材料有限公司
发明人： D·詹宁斯
CPC分类号： C30B31/12
摘要： 根据对半导体晶片进行热处理的制法，一个工作电压施加到第一和第二组上。然后可以确定，工作电压是介于预定的低电压与预定的上限电压之间的电压范围内的一个干扰电压。随后，第一电压被施加到第一组加热灯上，第二电压被供给到第二组加热灯上。第一电压高于预定的上限电压，而第二电压低于预定的低电压。而且，第一和第二电压的一个加权平均值近似于这一干扰电压。同时，根据本制法，工作电压加到剩余的一批加热灯上，这时，工作电压低于预定的上限电压。
-
公开(公告)号：CN118880470A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410947200.1
申请日：2024-07-16
申请人： 杭州镓仁半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种调控N型氧化镓单晶衬底片电学性能的方法及装置，其中方法包括：步骤一、将单晶衬底片放置在陶瓷架上，将锡源放入陶瓷舟中，将陶瓷架和陶瓷舟放置在炉体内；步骤二、封闭炉体，抽吸炉体内的气体至炉体内气压达到0.1Pa以下，之后炉体内不再通入气体或仅通入保护气体；步骤三、将炉体内的温度提升至800℃～1600℃，之后保温3h～48h；步骤四、将炉体内的温度降至室温，取出衬底片。与现有技术相比，本发明通过提高炉体内锡元素的浓度，抑制单晶衬底片中掺杂元素的挥发，使得在热处理过程中，提高单晶衬底片中的掺杂元素浓度，从而保证单晶衬底片的电阻率下降或不变，并提高单晶衬底片中的掺杂均匀性。
-
公开(公告)号：CN107190326A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710336489.3
申请日：2017-05-13
申请人： 徐州中辉光伏科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉，其包括有炉体，炉体之中设置有经由其外部导通至内部的进气管道与排气管道，排气管道之上设置有抽风机；所述炉体内部设置有用于安置硅片的石英舟；所述炉体之中包括有安置端面，安置端面之上设置有炉门，所述安置端面的边部与炉门之间设置有朝向炉体外部进行延伸的散热管道；所述炉体之中，排气管道之上设置有多个导通至散热管道之中的散热端口，多个散热端口沿散热管道的轴向均匀分布；上述可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉可在硅片退炉过程中有效消除硅片内部的残余热应力，以确保硅片的完整性。
-
公开(公告)号：CN101350294B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810130492.0
申请日：2002-11-05
申请人： 玛特森技术公司
发明人： 保罗·贾尼斯·蒂曼斯
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/481 , C30B25/105 , C30B31/12 , F27B17/0025 , G02B5/124
摘要： 一种用于热处理半导体晶片(14)的设备，该设备包括加热设备(22)，加热设备(22)包含向晶片(14)上发射光能的一组线性灯(24)。线性灯(24)可以多种设计被放置。按照本发明，被用于调节光源的总辐照度分布的调节设备(40)被包括在加热设备(22)中。例如，调节设备(40)可以是灯或激光器。
-
公开(公告)号：CN100415933C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN02818549.8
申请日：2002-11-05
申请人： 玛特森技术公司
发明人： 保罗·贾尼斯·蒂曼斯
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/481 , C30B25/105 , C30B31/12 , F27B17/0025 , G02B5/124
摘要： 一种用于热处理半导体晶片(14)的设备，该设备包括加热设备(22)，加热设备(22)包含向晶片(14)上发射光能的一组线性灯(24)。线性灯(24)可以多种设计被放置。按照本发明，被用于调节光源的总辐照度分布的调节设备(40)被包括在加热设备(22)中。例如，调节设备(40)可以是灯或激光器。
-
公开(公告)号：CN1714169A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03825587.1
申请日：2003-06-11
申请人： ETC外延技术中心有限公司
IPC分类号： C23C16/46 , C30B25/12 , C30B25/10 , C30B31/12 , H05B6/02 , F27B14/06 , H01L21/00 , C23C16/458
CPC分类号： C30B25/10 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B25/12 , C30B31/14 , C30B35/00 , F27B14/061 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67784 , H01L21/6838 , H01L21/68714
摘要： 本发明介绍了一种系统，用于处理基片和/或晶片的装置，该系统包括：静止基座元件(600)以及用于至少一个基片或至少一个晶片的活动支承件(610)，该支承件可在该元件(600)上面绕静止轴线旋转；腔室(610)；以及至少一个导管，用于允许至少一个气流通向腔室，以便升高该支承件(610)；系统还包括用于将气体进入腔室的流动转变成支承件的旋转的装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
59 条记录 (耗时 0.014 秒)
